Ви є тут

Математическая модель формирования сплошных тонких пленок центрифугированием в производстве элементной базы микроэлектроники

Автор: 
Хоботнев Олег Юрьевич
Тип роботи: 
диссертация кандидата технических наук
Рік: 
2006
Кількість сторінок: 
152
Артикул:
16439
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
1. ТЕНДЕНЦИИ РАЗВИТИЯ ТЕХНОЛОГИЧЕСКОГО ПРОЦЕССА
МИКРОЭЛЕКТРОНИКИ И ПРОБЛЕМЫ ЕГО МАТЕМАТИЧЕСКОГО
МОДЕЛИРОВАНИЯ.
1.1. Тенденции развития микроэлектроники
1.2. Анализ проблем формирования тонких покрытий центрифугированием
1.3. Современное состояние математического моделирования процесса формирования тонких слоев.
1.4. Цели и задачи исследования.
2. СИНТЕЗ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ДЛЯ ФОРМИРОВАНИЯ ТОНКИХ ПОКРЫТИЙ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИЕМ.
2.1. Математическая модель течения тонкой пленки при центрифугировании
2.2. Моделирование профиля распределения сил поверхностного натяжения при формировании тонкого покрытия.
2.3. Моделирование процесса получения тонкой пленки методом подобия.
2.4. Оценка адекватности математической модели
2.5. Анализ влияния сил поверхностного натяжения на формирование нанопленок центрифугированием.
2.6. Исследование сходимости решения при разложении в ряд компонент относительных скоростей.
3. АНАЛИЗ МАТЕМАТИЧЕСКОЙ МОДЕЛИ ФОРМИРОВАНИЯ НАНОСЛОЕВ ПРИ ЦЕНТРИФУГИРОВАНИИ
3.1. Математическое описание условия нарушения неразрывности пленочного течения.
3.2. Анализ влияния начальных условий на моделирование сплошности пленочного течения
3.3. Оценка влияния параметров математической модели на условия неразрывности течения пленки
3.4. Исследование численных методов решения математической модели
3.5. Исследование чувствительности математической модели.
4. МЕТОДИКА И ТЕХНИКА ПРОВЕДЕНИЯ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
4.1. Методика экспериментов и обработки экспериментальных данных
4.2. Техника экспериментов.
5. ПРАКТИЧЕСКОЕ ИСПОЛЬЗОВАНИЕ РЕЗУЛЬТАТОВ
ИССЛЕДОВАНИЯ.
5.1. Методика инженерного расчета режима нанесения на пластину рациональной дозы фоторезиста
5.2. Пример расчета режима нанесения на пластину рационального дозы
фоторезиста.
5.3. Методика инженерного расчета режима вращения пластины.
5.4. Пример расчета режима вращения пластины
5.5. Промышленное использование устройства для нанесения покрытий
центрифугированием.
5.6. Разработка системы имитационного моделирования процесса формирования тонких пленок центрифугированием
Основные выводы по результатам работы.
ЛИТЕРАТУРА