Нелинейные эффекты в субмикронных HEMT транзисторах и усилителях СВЧ на их основе при воздействии непрерывных и импульсных помех

Содержание.
Список используемых сокращений
Введение.
Глава 1. Оптимизация конструктивных параметров НЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их основе
1.1. Физические основы работы НЕМТ транзисторов.
1.2. Нелинейная аналитическая модель НЕМТ транзистора
1.3. Методика моделирования короткоканальных эффектов в НЕМТ транзисторах
1.4. Методика интеграции модели НЕМТ транзистора в среду схемотехнического проектирования ОгСас 9.2
1.5. Оптимизация конструктивных параметров ЕМТ транзисторов для улучшения нелинейных характеристик усилителей на их
Выводы
Глава 2. Влияние конструктивных параметров НЕМТ транзисторов на шумовые характеристики усилителей на их основе
2.1. Шумовая модель НЕМТ транзистора с учтом короткоканальных эффектов
2.2. Влияние толщины спейсера и донорного слоя на минимальный коэффициент шума усилителя при проведении оптимизации конструктивных параметров транзистора для улучшения
нелинейных характеристик
Глава 3. Экспериментальное исследование воздействия СКИ на НЕМТ
транзисторы
3.1. Результаты эксперимента по контактному воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы
3.2. Результаты эксперимента по воздействию СКИ на НЕМТ транзисторы в широкополосной коаксиальной нагрузке
3.3. Физические механизмы обратимых отказов ваАБ полевых
транзисторов под действием сверхкоротких импульсов
Глава 4. Объмный заряд в подложке НЕМТ транзистора под воздействием
4.1 Моделирование процессов в двумерной полупроводниковой структуре с гетеропереходом.
4.2. Модель ваАБ НЕМТ транзистора для исследования образования объмного заряда в полуизолирующей подложке
4.3. Моделирование процесса образования объмного заряда в
подложке НЕМТ транзистора при воздействии СКИ
Выводы.
Заключение
Библиографический список использованной литературы .
Список используемых сокращений
НЕМТ транзистор с высокой подвижностью электронов.
РЭА радиоэлектронная аппаратура
ЭМО электромагнитная обстановка
РПУ радиопримное устройство
П ГШ полевой транзистор с затвором Шоттки
МШУ малошумящий усилитель
РЛС радиолокационная станция
СВЧ сверхвысокие частоты
СКИ сверхкороткие импульсы
ШКН широкополосная коаксиальная нагрузка
Введение.
Диссертационная работа посвящена исследованию и развитию методов анализа входных устройств, построенных на базе субмикронных транзисторов с высокой подвижностью электронов НЕМТ транзисторов 19 и применению данных методов для улучшения реальных характеристик помехоустойчивости малошумящих усилителей МШУ.
Актуальность