Люминесцентные свойства систем на основе оксидов с ионно-синтезированными нанокристаллами кремния

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. Обзор литературы.
1.1. Проблема применения кремния в опто и наноэлектронных устройствах
1.1.1. Задача модификации излучательиых свойств кремния и способы ее решения,
на пути к созданию лазера на основе кремния.
1.1.2. Применение нанокристаллов i в устройствах энергонезависимой памяти
1.2. Закономерности формирования и люминесцентные свойства нанокристаллов и нанокластеров i в матрице i.
1.2.1. Нанокристаллы и нанокластеры i, полученные без применения ионной имплантации.
1.2.2. Иоииосинтезированные нанокластеры и нанокристаллы i
1.2.3. Механизмы люминесценции, связанной с нанокристаллами i в i2
1.2.4. Влияние легирования на свойства системы i2 с нанокристаллами i.
1.3. Оптические и люминесцентные свойства оксидов кремниягермания и закономерности формирования нанокристаллов и i
1.3.1. Оптические и люминесцентные свойства оксидов ii.xx х01
1.3.2. Нанокристаллы и i в матрице i.xx х01.
1.4. Оптические и люминесцентные свойства оксида алюминия и закономерности формирования нанокристаллов i в этой матрице.
1.4.1. Оптические и люминесцентные свойства I23.
1.4.2. Нанокристаллы в матрице I23 и люминесцентные свойства системы i
1.5. Формулировка задач исследований
ГЛАВА 2. Исследование закономерностей ионнолучевого синтеза и изменения люминесцентных свойств нанокристаллов i в i.
2.1. Методика эксперимента
2.2. Влияние дозы имплантации ионов i и температуры постимплантационного отжига на фотолюминесценцию и оптические свойства слоев ii
2.3. Теоретическое описание зависимости люминесценции нанокристаллов i от дозы
i и температуры отжига, сравнение с экспериментом
2.4. Влияние цикличности процедур ионной имплантации и отжига на морфологию и фотолюминесценцию ii
2.5. Выводы.
ГЛАВА 3. Исследование закономерностей влияния ионного облучения и легирования мелкими доиорными и акцепторными примесями на люминесцентные свойства системы 8Югпс.
3.1. Методика эксперимента.
3.2. Влияние облучения ионами Р и В на фотолюминесценцию пленок ,
облученных БГ, и синтезированной системы БЮггпсЗ.
3.3. Влияние ионного легирования Р, В и на фотолюминесценцию слоев 8Югпс.
3.4. Анализ результатов и классификация механизмов влияния ионного легирования
3.5. Выводы.
ГЛАВА 4. Исследование влияния имплантации ионов Б Г и отжига на люминесцентные
и оптические свойства пленок Бц.лОеЮг х 0.
4.1. Методика эксперимента
4.2. Влияние режимов имплантации ионов БГ и отжига на фотолюминесценцию и
оптические свойства пленок 8ц.хОехС2 х 0.
4.3. Механизмы фотолюминесценции и вопрос о формировании нанокристаллов .
4.4. Выводы.
ГЛАВА 5. Исследование закономерностей изменения люминесцентных свойств АЬОз при иоииолучевом синтезе нанокристаллов Б1.
5.1. Методика эксперимента
5.2. Влияние дозы имплантации ионов Б Г и температуры постимплаитационного
отжига на фотолюминесценцию и структуру сапфира.
5.3. Природа фотолюминесценции и связь с синтезом нанокристаллов
5.4. Выводы.
ОБЩИЕ ВЫВОДЫ
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
БЛАГОДАРНОСТИ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ