Разработка отдельных базовых процессов формирования активных областей силовых кремниевых транзисторов

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. КОНСТРУКТИВНО ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРНЫХ СТРУКТУР
1.1. Технологические особенности изготовления мощных транзисторов
1.2. Конструктивные особенности изготовления мощных транзисторных структур
1.3. Особенность требований, предъявляемых к параметрам
Р силовых кремниевых транзисторов
ГЛАВА 2. МОДЕЛИ ТЕХНОЛОГИЧЕСКИХ ПРОЦЕССОВ ФОРМИ
РОВАНИЯ АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
2.1. Модель очистки поверхности кремниевых пластин
2.1.1. Метод динамического равновесия в процессе очистки поверхности кремниевых пластин в деионизованной воде
2.1.2. Фильтрационная модель очистки поверхности кремниевых пластин
2.2. Модель диффузии фосфора с применением твердого
планарного источника
2.2.1. Диффузия в технологии полупроводниковых приборов
2.2.2. Моделирование диффузионного процесса
2.2.3. Расчет технологических режимов диффузии фосфора
23. Математическая модель пирогенного окисления
ВЫВОДЫ
ГЛАВА 3. МЕТОДИКА ИССЛЕДОВАНИЯ КАЧЕСТВА ПЛАСТИН
3.1. Модернизация оборудования химобработки кремниевых 4 пластин
3.2. Методы контроля очистки пластин
3.3. Определения контроля поверхностного сопротивления
3.4. Методика исследования параметров окисных пленок
ГЛАВА 4, ОПТИМИЗАЦИЯ ТЕХНОЛОГИИ ФОРМИРОВАНИЯ
АКТИВНЫХ ОБЛАСТЕЙ СИЛОВЫХ ТРАНЗИСТОРОВ
4.1. Оптимизация технологического процесса очистки пластин
4.2. Оптимизация технологического процесса диффузии фосфора для формирования диффузионных кремниевых структур
4.3. Оптимизация технологического процесса пирогенного окисления
4.4. Разработка структуры силового кремниевого транзистора
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА