Ви є тут

Диагностические методы оценки качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием низкочастотного шума

Автор: 
Жарких Александр Петрович
Тип роботи: 
Дис. канд. техн. наук
Рік: 
2005
Артикул:
568528
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Общая характеристика работы .
Глава 1. МОДЕЛИ МЕХАНИЗМОВ ШУМА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ
ПРИБОРАХ
1.1 Виды шумов в полупроводниковых приборах
1.2. НЧ шум в различных полупроводниковых приборах.
1.3 Физические модели механизмов 1Л шума в полупроводниковых приборах.
1.3.1 Модель на основе генерационнорекомбинационной теории.
1.3.2 Объяснение 1Л спектра случайным распределением поверхностного потенциала
1.3.3 Генерация НЧ шума, обусловленная подвижностью свободных носителей заряда в поверхностной зоне инверсионных слоев.
1.3.4 Модель с использованием туннельного эффекта
1.4. Возможности НЧ шума как прогнозирующего параметра
надежности.
Выводы к главе 1.
Глава 2. МЕТОДЫ ИЗМЕРЕНИЯ НИЗКОЧАСТОТНОГО ШУМА
ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ
2.1. Предварительный усилительт.
2.2.Основной усилитель.
2.3. Детекторы и фильтры.
2.4.Корреляционный метод измерения низкочастотного шумов
2.5.Установка для измерения низкочастотного шума.
Выводы к главе 2.
Глава 3. СПОСОБЫ ОПРЕДЕЛЕНИЯ ПОТЕНЦИАЛЬНО НАНАДЕЖНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ ПО НИЗКОЧАСТОТНЫМ ШУМАМ
3.1 Диагностика биполярных транзисторов по шумам переходов
3.2. Определение потенциально нестабильных полупроводниковых приборов по ампершумовым характеристикам
3.3. Способы контроля качества и надежности полупроводниковых приборов с использованием шумов и воздействия электростатических разрядов.
3.4. Способ определения потенциально нестабильных
полупроводниковых приборов.
3.5. Способ определения потенциально нестабильных
полупроводниковых приборов с использованием разности температур
3.6. Способ разделения полупроводниковых резисторов по
надежности.
3.7. Влияние электростатических разрядов на значения
низкочастотного шума варикапов типа КВ 7.
Выводы к главе 3.
Глава 4. СРАВНИТЕЛЬНЫЙ АНАЛИЗ РАССМОТРЕННЫХ ДИАГНОСТИЧЕСКИХ МЕТОДОВ ПО РАЗЛИЧНЫМ КРИТЕРИЯМ.
4.1. Исследование достоверности новых способов диагностики
полупроводниковых приборов на примере транзисторов КТГМ
4.3. Исследование достоверности новых способов диагностики полупроводниковых приборов с использованием ЭСР на примере
транзисторов КТ2А
Выводы к главе 4.
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И РЕЗУЛЬТАТЫ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ