СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА 1. ФИЗИКОХИМИЧЕСКИЕ ОСОБЕННОСТИ ПРОЦЕССОВ
ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОГО ТРАВЛЕНИЯ
1.1. Анизотропное травление
1.2. Удаление и травление фоторезиста
1.3. Влияние плазменных обработок на зарядовые характеристики структур
1.4. Безэлектродный разряд низкого давления
ГЛАВА 2. ПЛАЗМОХИМИЧЕСКОЕ УДАЛЕНИЕ ФОТОРЕЗИСТА
ВНЕ ЗОНЫ ЛОКАЛИЗАЦИИ РАЗРЯДА.
2.1. Особенности ПХУ фоторезиста в системах с индивидуальной обработкой пластин
2.2. Исследование характера локализации плазмы при высоком давлении
2.3. Разработка реактора высокого давления для ПХУ фоторезиста с пластин большого диаметра.
ГЛАВА 3. РЕАКТОР ВЫСОКОПЛОТНОЙ ПЛАЗМЫ И
ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ РЕАЛИЗУЕМЫЕ В НЕМ
3.1. Исследование ВЧразряда низкого давления в системе с индукторным возбуждением
3.2. Оптимизация технологического процесса ПХУ фоторезиста в реакторе высокоплотной плазмы
3.3. Удаление органо неорганических остатков после реактивно ионного травления технологических слоев
3.4. Изотропное травление диэлектрика.
ГЛАВА 4. РЕАКТОР И ТЕХНОЛОГИЧЕСКИЕ ПРОЦЕССЫ
ИОННО СТИМУЛИРОВАННОГО ТРАВЛЕНИЯ.
4.1. Реактор с активизацией газа при низком давлении и независимым смещением на подложке.
4.2. Разработка технологического процесса анизотропного травления кремния.
4.3. Теоретический расчет профиля травления канавок в кремнии.
4.4. Сухое проявление фоторезистивных пленок
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922