Вы здесь

Моделирование влияния температурных режимов технологического процесса изготовления интегральных микросхем на их радиационную стойкость

Автор: 
Гришаков Владимир Владимирович
Тип работы: 
Дис. канд. техн. наук
Год: 
2003
Артикул:
568610
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

Содержание
СОДЕРЖАНИЕ ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. ДЕФЕКТЫ В ПЛЕНКАХ ОКСИДА КРЕМНИЯ
1.1. Точечные дефекты
1.1.1. Структура и дефекты пленки i2.
1.1.2. Собственные сеточные дефекты в полиморфном оксиде кремния
1.1.3. Группа дефектов, отнесенных к кислородным.
1.1.4. Группа дефектов, отнесенных к собственным кремниевым дефектам
1.1.5. Комплексные дефекты в полиморфном i
1.1.6. Примесные точечные дефекты в полиморфных материалах.
1.1.7. Методы исследования.
1.2. Крупные дефекты.
1.2.1. Поры
1.2.2. Скрытые дефекты.
Выводы.
Глава 2. исследование образования и отжига
ТОЧЕЧНЫХ ДЕФЕКТОВ ПЛЕНОК ОКСИДА КРЕМНИЯ
2.1. Модель распределения захваченного заряда в оксидной пленке
2.1.1. Качественная модель зарядки точечных дефектов при воздействии ионизирующего излучения
2.1.2. Определение концентрации точечных дефектов оксида кремния
2.1.3. Пример расчета концентрации дефектов оксидной пленки.
2.2. Математическая модель образованияотжига точечных дефектов в слое оксида кремния при изготовлении ИМС.
2.2.1. Математическая модель образования дефектов в процессе роста оксида
2.2.2. Математическая модель образования и отжига дефектов в процессе термообработок.
Содержание
2.3. Пример прогнозирования концентрации точечных дефектов в слое подзатворного диэлектрика мощного
пМОП транзистора.
2.3.1. Расчет концентрации дефектов в оксидных пленках по экспериментальным данным1
2.3.2. Расчет концентрации дефектов в оксидных пленках по технологическому маршруту их изготовления
2.4. Пример прогнозирования концентрации точечных дефектов в слое подзатворного и изолирующего диэлектриков в технологическом процессе изготовления КМОП ИМС
2.5. Сопоставление экспериментальных и расчетных
данных отжига тестовых МОП структур
Выводы.
Глава 3. исследование крупных дефектов в
ПЛЕНКАХ ОКСИДА КРЕМНИЯ.
3.1. Модель накопления заряда в крупом дефекте
3.1.1. Описание и результаты эксперимента
3.1.2. Обработка результатов эксперимента
3.1.3. Модель накопления заряда в макродефекте.
3.1.4. Причины появления макродефектов в оксидных пленках
3.2. Влияние температурных режимов изготовления ИМС на крупные дефекты в оксидных пленках
3.2.1. Методы исследования
3.2.2. Методика обработки экспериментальных данных.
3.2.3. Результаты исследования
3.2.4. Анализ полученных результатов
3.3. Примеры проявления крупных дефектов в элементах ИМС.
3.3.1. Пострадиационный эффект в ИМС.
3.3.2. Связь между обратным током рп перехода и заряженным макродефектом
3.3.3. Описание и результаты эксперимента.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ