Технология получения тонкопленочных структур для оптоэлектроники на основе опытной установки ионно-лучевого осаждения

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Обзор используемой литературы и проблематика работы
1.1. Типовые конструкции солнечных элементов и их эффективность
1.2. Физические основы работы солнечных фотопрсобразователей
1.3. Технологические методы получения солнечных фотопреобразователей
1.4. Постановка задачи исследования
1.5. Выводы
Глава II. Моделирование процесса осаждения и расчет основных параметров ионнолучевой установки
2.1. Методика распыления вещества в плазме
2.2. Источник ионов Ошибка Закладка не определена.
2.3. Система формирования и управления ионным пучком
2.3.1. Система экстракции
2.3.2. Система фокусировки
2.3.3. Система сканирования
2.4. Нанесение покрытия управляемым ионным лучком
2.5. Вывод
Глава III. Особенности вакуумной системы для ионного осаждения
3.1. Вакуумные параметры системы
3.2. Система откачки вакуумной арматуры установки
3.3. Система управления вакуумными насосами З.4 Выводы
Глава IV. Расчетные и экспериментальные параметры тонкопленочных ЭГх солнечных элементов
4.1. Физические принципы осаждения тонких пленок
4.2. Математическая модель расчета физикомеханических свойств покрытий и экспериментальные данные образцов ионнолучевого осаждения
4.3. Расчетные и экспериментальные данные получения омических контактов, полупроводниковых слоев и металлической гребенки при ионнолучевом осаждении
4.4. Вывод Выводы
Список используемой литературы