Введение
ГЛАВА 1. Реальная структура кристаллов карбида кремния
и области их применения
1.1. Кристаллическая структура карбида кремния.
1.2. Дефекты в кристаллах карбида кремния
1.2.1. Дислокационная структура ЭЮ.
1.2.2.1. Отрицательные кристаллы химической природы
1.2.2.2. Отрицательные кристаллы ростовой природы
1.3. Области применения карбида кремния
1.3.1. Поликристаллический Э1С.
1.3.2. Монокристаллический Б1С.
1.3.3. Аморфный ЭЮ.
Выводы по главе 1
ГЛАВА 2. Сублимационное профилирование кристаллов карбида кремния
2.1. Технологические особенности получения профилированных кристаллов БЮ
2.2. Основные типы протяженных дефектов в профилированных кристаллах вЮ
2.3. Дислокационная структура профилированных кристаллов Б1С
в связи с условиями роста и легирования
2.3.1. Эволюция дислокационной структуры в процессе сублимационного профилирования.
2.3.2. Влияние тепловых условий выращивания на процессы формирования дислокационной структуры
2.3.2.1. Моделирование и анализ тепловых полей и термоупругих напряжений в кристаллах Б1С
2.3.2.2. Дислокационная структура и температура роста кристаллов. Эксперимент
2.3.2.3. Изменение дислокационной структуры в процессе
охлаждения кристаллов.
2.3.3. Влияние кинетических особенностей роста на дислокационную структуру.
2.3.4. Особенности формирования дислокационной структуры переходной области затравкакристалл
2.3.5. Профилирование с испаряющейся затравкой
2.3.6. Дислокационная структура кристаллов, легированных изовалентными примесями.
2.4. Сложное сублимационное профилирование.
2.4.1. Моделирование и исследование процессов массопереноса в кристаллизационных ячейках со сложным профилем канала роста
2.4.2. Управление дислокационной структурой кристаллов
при сложном профилировании.
Выводы по главе 2
ГЛАВА 3. Электроэрозионное профилирование кристаллов
карбида кремния
3.1. Эрозионная стойкость карбида кремния
3.1.1. Технологические особенности электроэрозии ЭЮ
3.1.2. Критерий эрозионной стойкости Палатника.
3.1.3. Критерий направленности связи.
3.2. Морфология эрозионных следов в кристаллах БЮ
3.2.1. Тепловые процессы в кристалле.
3.2.2. Эрозия Б1С в режиме жидкой фазы.
3.2.3. Морфология фигур частичного электрического пробоя ЭЮ
3.2.3.1. Анализ процессов электрического пробоя .
3.2.3.2. Каналы поверхностного разряда.
3.2.3.3. Каналы пробоя в объеме кристалла
3.2.4. Эрозия ЭЮ в режиме испарения
3.2.5. Эрозия ЭЮ в режиме ударного разрушения
3.2.5.1. Источники акустической энергии и механизмы разрушения
3.2.5.2. Разрядное индентирование i
3.3. Размерное профилирование i по методу вырезания нитевидным электродом.
3.3.1. Электротехнологические характеристики микропрофилирования кристаллов i.
3.3.2. Расчет статистической модели процесса эрозионного микропрофилирования кристаллов i.
3.3.3. Эрозионная резка объемных кристаллов i
3.4. Размерное эрозионное профилирование i по принципу прошивания 9 Выводы по главе 3
Глава 4. Техническое применение и свойства профилированных
кристаллов i.
4.1. Структуры теплоэлекгроники
4.1.1. Кольцевые терморезисторы
4.1.2. Термоанемометрические зонды.
4.1.2.1. Зонд с кондуктивной связью
4.1.2.2. Зонде прожигом
4.1.3. Пирометрические зонды.
4.2. Структуры и элементы микромеханики
4.3. Свойства профилированных кристаллов.
4.3.1. Вольтамперные характеристики р переходов.
4.3.2. МДПструктуры .
Выводы по главе 4
Заключение.
Список литературы
- Київ+380960830922