- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
Тип роботи:
quot
Рік:
2003
Артикул:
25799 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
- Исследование процессов, разработка и создание аппаратуры для стирания информации с носителей на основе микросхем с энергонезависимой памятью
- Процессы обработки затравок для выращивания совершенных объемных монокристаллов полупроводникового карбида кремния методом ЛЭТИ
- Многокомпонентные висмутсодержащие твердые растворы А3 В5 , полученные в поле температурного градиента
- Получение и исследование эпитаксиальных структур "полупроводник-фианит"
- Получение и исследование крупных монокристаллов синтетического алмаза для применения в полупроводниковой технике
- Разработка технологии и оборудования вакуумной металлизации полимерных пленок для производства гибких печатных плат
- Получение гетероструктур на основе германия и арсенида индия для термофотоэлектрических преобразователей
- Разработка реактора эпитаксиального наращивания одиночных подложек и исследование в нем теплофизических и физико-механических процессов
- Выращивание и исследование легированных монокристаллов ниобата бария-стронция