- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Оптимизация условий выращивания и использование "третьего" компонента в процессах получения совершенных монокристаллов кремния методом Чохральского для СБИС
Тип роботи:
quot
Рік:
2003
Артикул:
25799 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Исследование и разработка технологического процесса лазерной полировки стекломатериалов в приборостроении и электронной технике
- Исследования и разработка технологии изготовления PIN-фотодиодов на основе кремния с применением ионной имплантации
- Солнечные элементы на основе аморфного гидрогенизированного кремния, полученные в низкочастотном тлеющем разряде
- Исследование и разработка технологии получения пленок высокотемпературного сверхпроводника состава (Bi,Pb)2Sr2Ca2Cu3O10 методом магнетронного нанесения
- Исследование и моделирование функциональных и эксплуатационных характеристик приборов и оборудования для высокоточных температурных технологий
- Разработка конструкции и технологии микроэлектронных приборов точного измерения параметров газовых сред
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов
- Исследование и разработка щелевого реактора с удлиненным подложкодержателем для эпитаксиального наращивания кремния на одиночных подложках
- Исследование причин деградации и разработка подходов к повышению стабильности наноразмерных межсоединений СБИС
- Повышение однородности состава и равномерности толщины многослойных тонкопленочных покрытий на поверхностях большого размера