- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Влияние взаимодействия примесей и дефектов на процессы геттерирования в кремнии для планарной технологии
Тип роботи:
Дис. канд. техн. наук
Рік:
1994
Артикул:
1000187583 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Выращивание и исследование кристаллов сложных силикатов и германатов, легированных ионами Cr4+, для твердотельных лазеров
- Получение высокоэффективных солнечных элементов на базе многослойных гетероструктур Al x Ga1-x As/GaAs/Ge/Si x Ge1-x /Si
- Научное и технологическое обеспечение нанесения упрочняющих наноразмерных тонкопленочных покрытий для изделий электронной техники
- Электрическое сопротивление нитевидных кристаллов кремния, выращенных по механизму ПЖК в открытой системе
- Разработка основ технологии новых металлоуглеродных нанокомпозитов и углеродного нанокристаллического материала под действием ИК нагрева полимеров
- Выращивание и лазерные свойства монокристаллов лантан-скандиевого бората с редкоземельными активаторами
- Исследование кристаллогенезиса полупроводников A III B V из висмутсодержащих расплавов : На примере InSbBi, AlInSbBi
- Технология структур карбид кремния - кремний для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
- Микроструктура и свойства тонких пленок аморфного гидрогенизированного сплава кремния с углеродом
- Конструирование и технология производства полупроводниковых приборов миллиметрового диапазона и устройств на их основе