Технологические методики повышения стабильности параметров тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления

Оглавление
Введение
ГЛАВА 1 ОБЩИЕ ВОПРОСЫ РАЗРАБОТКИ КОНСТРУКЦИИ И ТЕХНОЛОГИИ ИЗГОТОВЛЕНИЯ ТОНКОПЛЕНОЧНБ1Х ТЕНЗОРЕЗИ
СТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ
Выводы.
ГЛАВА 2 ПРОЦЕССЫ, ПРОИСХОДЯЩИЕ В ТОНКОПЛЕНОЧНОМ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНОМ ЧУВСТВИТЕЛЬНОМ ЭЛЕМЕНТЕ ДАТЧИКА ДАВЛЕНИЯ
2.1 Анализ причин нестабильности параметров тонкопленочных тензорезисторов.
2.2 Анализ толщины и состава реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе тензорезисторного тонкопленочного
2.3 Процессы образования тонких резистивных пленок.
2.4 Выбор физикоматематической модели электропроводности и температурного коэффициента сопротивления тонкой пленки.
2.5 Выбор физикоматематической модели тензочувствительности тонкой пленки.
2.6 Механизм образования дефекта в тонкопленочной гетероструктуре.
Выводы.
ГЛАВА 3 МЕТОДИКА ИМПУЛЬСНОЙ ТОКОВОЙ ОТБРАКОВКИ ПОТЕНЦИАЛЬНО НЕНАДЕЖНЫХ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРОВ
3.1 Особенности применения импульсной токовой отбраковки для тонкопленочного тензорезисторного чувствительного элемента датчика давления.
3.2 Модель воздействия импульсной токовой нагрузки на тонкопленочный тензорезистор и тензомост
3.3 Разработка методики применения импульсной токовой отбраковки для реальной тонкопленочной гетероструктуры на чувствительном элементе
тензорезисторного тонкопленочного датчика давления
ГЛАВА 4 ВНЕДРЕНИЕ МЕТОДИКИ ПОВЫШЕНИЯ СТАБИЛЬНОСТИ ПАРАМЕТРОВ ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ТЕНЗОРЕЗИСТОРНЫХ ДАТЧИКОВ ДАВЛЕНИЯ
4.1 Внедрение методики импульсной токовой отбраковки в технологию изготовления реальных чувствительных элементов тензорезисторных тонкопленочных датчиков давления
4.2 Результаты изготовления и эксплуатации тонкопленочных тензорезисторных датчиков давления с импульсной токовой отбраковкой тензосхе
Выводы
Заключение
Перечень принятых сокращений
Литература