- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Дефектоутворення у приповерхневих шарах монокристалів GaAs під впливом низькорівневого просторово-модульованого лазерного опромінення.
Тип роботи:
Дис. канд. наук
Рік:
2008
Артикул:
3408U004533 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Кінетика формування метастабільних кристалічних і аморфних фаз при загартуванні з розплаву та лазерному оплавленні поверхні
- Мікропластичність алмазоподібних кристалів (Si, Ge, GaAs, InAs)
- Формування наноструктур оксидних матеріалів на основі ZrO2-Y2O3 та Lа2O3-B2O3-GеO2 при термічних, баричних та електромагнітних впливах
- Механізми формування та процеси еволюції структури, напруженого стану і властивостей квазі- та нанокристалічних плівок металів під впливом зовнішних чинників
- Особливості формування та функціонування регіональних ринків плодоовочевої продукції (на матеріалах Чернігівської області)
- Електрофізичні властивості вуглеграфітових матеріалів та інтеркальованих систем на їх основі в широкый областы температур
- Пружні властивості сегнетоеластиків поблизу фазових переходів
- Діагностика поверхні твердого тіла при умові повного зовнішнього відбивання Х-променів
- Енергетичні спектри та фотоіндуковані явища в сегнетоелектриках-напівпровідниках типу Sn2P2S6
- Електрофізичні властивості двокомпонентних та гетерогенних плівкових матеріалів на основі перехідних d-металів