СОДЕРЖАНИЕ
СПИСОК СОКРАЩЕНИЙ .ВВЕДЕНИЕ .
РАЗДЕЛ 1. ЛЮМИНЕСЦЕНТНЫЕ СВОЙСТВА НИЗКОРАЗМЕРНЫХ МАТЕРИАЛОВ ZnS, CdSe. ВЛИЯНИЕ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ НА СВОЙСТВА ПОЛУПРОВОДНИКОВ (Обзор литературы).
1.Основные структурные и люминесцентные свойства ZnS.1.Влияние примеси Ga на люминесцентные свойства ZnS1.Люминесцентные свойства ZnS, легированного марганцем.1.Природа магниточувствительности немагнитных материалов1.Оптические свойства квантоворазмерных частиц CdSe. 1.Выводы
РАЗДЕЛ 2. МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА И СИНТЕЗА МАТЕРИАЛОВ, ПОЛУЧЕНИЕ ОБРАЗЦОВ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНАЯ ТЕХНИКА .
2.Методика синтеза ZnS, CdSe .2.Низкотемпературное легирование галлием и марганцем порошкообразного ZnS
2.Фотостимуляция легирования ZnS в процессе термического отжига .2.Принцип работы и конструкция "устройства для экспресс-анализа". Методика получения электролюминесцентных структур.
2.Фотолюминесцентные методы исследования полупроводниковых структур
2.Методы электронного парамагнитного резонанса и комбинационного рассеяния света.
РАЗДЕЛ 3. ВЗАИМОСВЯЗЬ МЕЖДУ МИКРОСТРУКТУРНЫМИ ПРЕОБРАЗОВАНИЯМИ И ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЕЙ ZnS:Ga, ПОЛУЧЕННОГО ПРИ НИЗКОТЕМПЕРАТУРНОМ ЛЕГИРОВАНИИ С ИСПОЛЬЗОВАНИЕМ ДОПОЛНИТЕЛЬНЫХ ВНЕШНИХ ВОЗДЕЙСТВИЙ
3.Фотолюминесценция ZnS, легированного Ga при температуре ?С.3.Влияние пассивации ZnS:Ga в атмосфере, содержащей кислород, на его фотолюминесцентные характеристики
3.Исследование влияния фотостимуляции на процессы диффузии Ga в сульфиде цинка.
3.Влияние уплотнения порошкообразного ZnS на эффективность диффузии примеси Ga в сульфиде цинка .
3.Выводы к
разделу 3.
РАЗДЕЛ 4. ФОРМИРОВАНИЕ ИЗЛУЧАТЕЛЬНЫХ И ПАРАМАГНИТНЫХ ЦЕНТРОВ В ZnS:Mn, ПОЛУЧЕННОГО НИЗКОТЕМПЕРАТУРНЫМ ЛЕГИРОВАНИЕМ .
4.Диффузионная релаксация примеси Mn в ZnS после его введения в сульфид цинка методом низкотемпературного легирования .
4.1.Люминесцентные свойства ZnS:Mn на разных посттехнологических этапах
4.1.Исследование взаимосвязи диффузии Mn в ZnS и люминесцентных характеристик ZnS:Mn .
4.Поверхностный марганец в субмикронных порошках ZnS .4.Влияние обработки слабым магнитным полем ( Тл) ZnS:Mn на его люминесцентные свойства .
4.Выводы к
разделу 4.
РАЗДЕЛ 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ВЛИЯНИЯ ВНЕШНИХ УСЛОВИЙ НА ФОТОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЮ НАНОРАЗМЕРНЫХ ЧАСТИЦ CdSe
5.Исследование метрических параметров наночастиц CdSe оптическими методами .
5.Фотолюминесценция наночастиц CdSe, осажденных на por-GaP 5.Влияние электрического поля на фотолюминесценцию наночастиц CdSe
5.Выводы к
разделу 5.ВЫВОДЫСПИСОК
- Київ+380960830922