ЗМІСТ
Перелік умовних позначень, символів, скорочень.
ВСТУП.
РОЗДІЛ 1. ВЛАСТИВОСТІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ І ГАЛІЮ ТА
ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА ЇХ ОСНОВІ. ВПЛИВ НА НИХ
ІОНІЗУЮЧИХ ВИПРОМІНЮВАНЬ.
1.1. Загальна характеристика InSe та GaSe.
1.2. Електричні, оптичні і фотоелектричні властивості селенідів індію
та галію.
1.3. Фотоперетворювачі на основі InSe та GaSe
1.4. Щодо впливу високоенергетичного випромінювання на шаруваті
напівпровідники AIІІBVI та діодні структури на їх основі
1.4.1. До питання радіаційної стійкості селенідів індію та галію
1.4.2. Опромінення кристалів селенідів індію та галію
1.4.3. Опромінення діодних структур на основі селенідів
індію та галію.
Короткі висновки і постановка задачі.
РОЗДІЛ 2. ТЕХНОЛОГІЇ СТВОРЕННЯ ФОТОДІОДІВ НА ОСНОВІ
СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ ТА ГАЛІЮ. МЕТОДИКИ ДОСЛІДЖЕНЬ
2.1. Особливості отримання монокристалів InSe та GaSe.
2.2. Обробка монокристалів InSe та GaSe.
2.3. Технології виготовлення фотодіодів.
2.3.1. "Посадка" на оптичний контакт.
2.3.2. Створення фотодіодів термічним окисленням.
2.3.3. Технологія виготовлення фотодіодів
окисел металу-селенід галію
2.4. Розробка технології формування омічних контактів до шаруватих
напівпровідників
2.5. Методики досліджень.
2.5.1. Електричні вимірювання.
2.5.2. Фотоелектричні вимірювання
2.6. Розробка технології створення лазером гомопереходів p-n-InSe.
2.6.1. Особливості взаємодії лазерного випромінювання
з напівпровідниками.
2.6.2. Лазерна технологія як метод створення
напівпровідникових бар'єрів.
2.6.3. Лазерне опромінення у матеріалознавстві шаруватих
напівпровідників.
2.6.4. Створення фотодіодів n-p-InSe лазерним опроміненням
2.6.5. Дослідження фотодіодів n-p-InSe, створених лазерним
опроміненням.
2.6.6. Модель формування p-n-переходу в р-InSe при
лазерному опроміненні
Короткі висновки до
розділу 2
РОЗДІЛ 3. ВПЛИВ Х- ТА ГАММА-ВИПРОМІНЮВАННЯ НА
ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА ОСНОВІ СЕЛЕНІДІВ ІНДІЮ ТА ГАЛІЮ.
3.1. Методики опромінення Х-променями та ?-квантами.
3.2. Ефект "надмалих" доз при Х- та ?-опроміненні InSe-фотодіодів
3.2.1. Вплив характеристичного Х-опромінення на фотодіоди
власний оксид-p-InSe та n-InSe-p-InSe.
3.2.2. Вплив ?-опромінення на фотодіоди n-InSe-p-InSe
3.2.3. Особливості радіаційних ефектів у InSe-фотодіодах при
"надмалих" дозах опромінення Х-промінням та ?-квантами Co.
3.3. Вплив гальмівного ?-випромінювання на InSe(GaSe)-фотодіоди .
3.3.1. Електричні характеристики.
3.3.2. Фотоелектричні характеристики.
3.3.3. Дослідження впливу гальмівних ?-квантів на кристали InSe
і GaSe методами рентгеноструктурного аналізу та комбінаційного розсіювання світла .
3.3.4. Особливості дефектоутворення у шаруватих напівпровідниках InSe та GaSe, опромінених гальмівними ?-квантами
Короткі висновки до
розділу 3
РОЗДІЛ 4. ЕЛЕКТРИЧНІ І ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ ФОТОДІОДІВ НА ОСНОВІ InSe ТА GaSe ПРИ ОПРОМІНЕННІ ЇХ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ
4.1. Методика опромінення електронами
4. Вплив електронного опромінення на параметри
InSe(GaSe)-фотодіодів
4.2.1. Електричні характеристики.
4.2.2. Фотоелектричні характеристики.
4.3. Дослідження впливу електронного випромінювання на кристали
InSe і GaSe методами рентгеноструктурного аналізу та комбінаційного розсіювання світла
4.4. Особливості радіаційних ефектів у InSe(GaSe)-фотодіодах при електронному опроміненні
Короткі висновки до
розділу 4
РОЗДІЛ 5. ВПЛИВ НЕЙТРОННОГО ОПРОМІНЕННЯ НА ФОТОПЕРЕТВОРЮВАЧІ НА ОСНОВІ InSe ТА GaSe.
5.1. Методика опромінення нейтронами
5.2. Вплив гамма-нейтронного опромінення параметри InSe-фотодіодів.
5.2.1. Електричні характеристики.
5.2.2. Фотоелектричні характеристики.
5.3. Вплив реакторних нейтронів на параметри InSe(GaSe)-фотодіодів
5.3.1. Електричні характеристики.
5.3.2. Фотоелектричні характеристики.
5.4. Дослідження впливу нейтронного випромінювання на кристали InSe і GaSe методами рентгеноструктурного аналізу та комбінаційного розсіювання світла
5.5. Особливості радіаційних ефектів у InSe(GaSe)-фотодіодах при
нейтронному опроміненні
Короткі висновки до
розділу 5.
ОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ І ВИСНОВКИ.
СПИСОК
- Київ+380960830922