ЗМІСТ
UВСТУПU
РОЗДІЛ U UСТАН ПРОБЛЕМИ ЩОДО ТЕХНОЛОГІЇ ОТРИМАННЯ, ДОСЛІДЖЕННЯ ВЛАСТИВОСТЕЙ ТА ВИКОРИСТАННЯ В СЕНСОРАХ ТЕПЛОВИХ ВЕЛИЧИН НИТКУВАТИХ КРИСТАЛІВ ТВЕРДИХ РОЗЧИНІВ Si-хGeхU
U1.1.U UТехнологія отримання мікронних та субмікронних легованих
НК Si-GeU
U1.2.U UВластивості твердого розчину Si-Ge в широкому інтервалі температур та за наявності впливу зовнішніх полівU
U1.2.1.U UАналіз механізмів електропровідності масивних та ниткуватих кристалів твердого розчину Si-Ge в широкому інтервалі температурU
U1.2.2.U UТермоелектричні властивості Si та Ge і їх твердого розчинуU
U1.2.3.U UПоведінка електропровідності Si, Ge та Si-Ge під дією магнетного поляU
U1.2.4.U UМагнетні властивості ниткуватих кристалів Si, Ge та твердих розчинів Si-GeU
U1.3.U UСенсори теплових величин та стан їх розробки на основі НК Si-GeU
U1.4.U UВисновки та постановка задач досліджень дисертаційної роботиU
РОЗДІЛ U UПІДГОТОВКА ЗРАЗКІВ НК Si-хGeх ТА МЕТОДИКА ПРОВЕДЕННЯ ЕКСПЕРИМЕНТІВU
U2.1.U UПідготовка зразків легованих ниткуватих кристалів Si-хGeх до досліджень їх електрофізичних, термоелектричних і магнетних властивостей.U
U2.1.1.U UХарактеристика об'єкта дослідженьU
U2.1.2.U UСтворення контактів до НК Si-xGexU
U2.2.U UМетодика проведення досліджень властивостей легованих
НК Si-xGex в умовах впливу зовнішніх полівU
U2.2.1.U UМетодика створення деформаційно-напруженого стану ниткуватих кристалів для дослідження впливу деформування на їх електрофізичні та терморезистивні характеристикиU
U2.2.2.U UМетодика проведення досліджень властивостей НК Si-xGex в широкому інтервалі температур під дією деформування та
зовнішнього магнетного поляU
U2.2.3.U UМетодика дослідження магнетних властивостей НК Si-xGex та Si-xGex U
U2.3.U UХарактеристики зразків НК Si-xGex, відібраних для дослідженьU
U2.4.U UВисновкиU
РОЗДІЛ U UДОСЛІДЖЕННЯ ТЕРМОРЕЗИСТИВНИХ ХАРАКТЕРИСТИК НИТКУВАТИХ КРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Si-xGex В ШИРОКОМУ ІНТЕРВАЛІ ТЕМПЕРАТУРU
U3.1.U UТерморезистивні характеристики легованих НК Si-хGeх
та Si-хGeх U
U3.2.U UВплив деформування на електропровідність легованих
НК Si-хGeх в широкому інтервалі температурU
U3.3.U UАналіз температурної залежності електропровідності вільних та деформованих НК твердого розчину Si-хGeх, легованих домішками
Hf та ВU
U3.3.1.U UМеханізми електропровідності недеформованих НК Si-хGeх та Si-хGeхU
U3.3.2.U UДослідження п'єзоопору НК Si-хGeх за низьких
температурU
U3.4.U UВисновкиU
РОЗДІЛ U UМАГНЕТНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ НИТКУВАТИХ КРИСТАЛІВ Si-xGex ТА ВПЛИВ МАГНЕТНОГО ПОЛЯ НА ЇХ ЕЛЕКТРОПРОВІДНІСТЬU
U4.1.U UМагнетоопір НК Si-xGex та Si-xGex за низьких температурU
U4.2.U UАналіз поведінки магнетоопору легованих ниткуватих кристалів
Si-xGexU
U4.3.U UМагнетна сприйнятливість та намагнеченість ниткуватих кристалів Si-xGex в широкому інтервалі температурU
U4.4.U UВисновкиU
РОЗДІЛ U UТЕРМОЕЛЕКТРИЧНІ ХАРАКТЕРИСТИКИ НИТКУВАТИХ КРИСТАЛІВ ТВЕРДОГО РОЗЧИНУ Si-xGex ТА СЕНСОРИ ТЕПЛОВИХ ВЕЛИЧИН НА ЇХ ОСНОВІU
U5.1.U UЕфект Зеєбека у ниткуватих кристалах Si-xGex в інтервалі температур ,- КU
U5.2.U UТермоЕРС ниткуватих кристалів Si-xGex за підвищених
температурU
U5.3.U UОптимізація термоелектричних характеристик НК Si-xGex як чутливих елементів сенсорів теплових величинU
U5.3.1.U UТермоелектричні параметри НК Si-xGex в інтервалі кріогенних температурU
U5.3.2.U UТермоелектричні параметри НК Si-xGex в інтервалі підвищених температурU
U5.3.3.U UВплив магнетного поля на термоЕРС НК Si-хGeхU
U5.4.U UСтворення сенсорів теплових величин на основі НК Si-xGex з термоелектричним принципом дії для інтервалів кріогенних температур та підвищених температурU
U5.4.1.U UСенсор температури та різниці температур для кріогенного інтервалу температур - КU
U5.4.2.U UСенсор температури та різниці температур для інтервалу підвищених температурU
U5.5.U UВисновкиU
UОСНОВНІ РЕЗУЛЬТАТИ ТА ВИСНОВКИU
UСПИСОК
- Київ+380960830922