- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Фізичні процеси в гетеропереходах на основі шаруватих кристалів халькогенідів галію, індію та олова
Тип роботи:
Дис. докт. наук
Рік:
2008
Артикул:
0508U000525 129 грн
Рекомендовані дисертації
- Технологія одержання та фізичні властивості тонких плівок халькопіритних напівпровідників і прозорих оксидів металів для фотоперетворювачів
- Лазерна спектроскопія напівпровідникових кристалів ZnSiP2 і ZnGeP2
- Одержання кристалів сапфіру та їх оптичні і люмінесцентні властивості
- Перебудова енергетичних зон і закономірності тензорезистивних ефектів в сильно деформованих кристалах Ge і Si
- Освіта як інституційний чинник інноваційного розвитку
- Електронні збудження та люмінесценція вісмутових та вольфрамових оксианіонів у полікристалічних оксидних сполуках
- Явища генерації і переносу в неідеальних гетероструктурах і створення на їх основі сенсорів зображень нового типу
- ВПЛИВ ЕЛЕКТРОННОЇ ПІДСИСТЕМИ НА ФОРМУВАННЯ СКЛАДУ ПОВЕРХНІ НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СПОЛУК З РІЗНИМ СТУПЕНЕМ ІОННОСТІ.
- Люмінесцентні властивості мікро- та нанофаз, вкраплених у галоїдні кристали
- Властивості плівок GaN, отриманих на поруватому GaAs методом нітридизації