- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Рост и легирование GaAs(001) при низкотемпературной молекулярно-лучевой эпитаксии
Тип роботи:
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік:
2002
Кількість сторінок:
208
Артикул:
6791 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Переключение кристаллов ниобата бария-стронция, чистых и легированных, в импульсных полях
- Мессбауэровское исследование сверхтонкой структуры инвара Fe-30% Ni при электрическом воздействии
- Исследование тяжелых нефтей и их компонент методом ЯМР
- Перераспределение легирующих элементов и изменение магнитных свойств при интенсивной холодной деформации Fe-Cr-Ni аустенитных сплавов
- Кинетика адсорбции молекул газовой фазы на поверхности Р-металлов
- Особенности электронного строения и поверхностных свойств полупроводниковых наноструктур для фотоники
- Рентгеновские эмиссионные спектры и зарядовое распределение ионов при каскадных распадах внутренних вакансий
- Высокоэффективная брэгговская акустооптическая дифракция на многочастотном и профилированном акустическом поле
- Магнитные возбуждения в орторомбических диэлектриках с сильным электрон-решёточным взаимодействием
- Локализация пластической деформации и изменения скорости звука в материале с прерывистой текучестью