ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
ГЛАВА I. ОБЗОР ТЕОРЕТИЧЕСКИХ И ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫХ РАБОТ ПО ИССЛЕДОВАНИЮ ПОЛУПРОВОДНИКОВ СО СТРУКТУРОЙ
1.1. Теоретическая зонная структура кристаллов ТБе ,
Т6ЬгЭе2 Тп,Т2 .
1.2. Оптические свойства кристаллов Те ,Тв1ц,е ,
ТС1пЛег
1.3. Исследования оптических свойств полупроводников
при. гидростатическом давлении
ГЛ. Изотермическая сжимаемость и тепловое расширение
твердых тел
Постановка задачи
ГЛАВА П. МЕТОДИКИ ИЗМЕРЕНИЙ.
П.1. Комплекс для исследования спектров поглощения
при низких температурах и высоких давлениях
П.2. Методика измерения изотермической сжимаемости и
теплового расширения.
П.З. Методика изготовления образцов.
П.4. Методика исследований спектров отражения
ГЛАВА Ш. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА КРИСТАЛЛОВ ТСБе. ,Тв1пЪег ТТе2В ОБЛАСТИ КРАЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО
ПОГЛОЩЕНИЯ
Ш.1. Влияние температуры на край фундаментального поглощения кристаллов ТС5е
Ш.2. Температурная зависимость края фундаментального
поглощения кристаллов 6I.,.
Ш.З. Влияние температуры на край поглощения кристаллов
Стр.
Т1п.Тег .
ШЛ. Спектр отражения кристаллов Т1пБег.
Ш.5. Тепловое расширение и изотермическая сжимаемость
ТЬг5ег и Т1п.Те2 .
Результаты и выводы.
ГЛАВА 1У.ВЛИЯНИЕ ГИДРОСТАТИЧЕСКОГО ДАВЛЕНИЯ НА КРАЙ ФУНДАМЕНТАЛЬНОГО ПОГЛОЩЕНИЯ КРИСТАЛЛОВ Т6е ,
Т1г5е2, Т1лЛег
1У.1. Влияние гидростатического давления на край
фундаментального поглощения кристаллов Те
1У.2. Спектры фундаментального поглощения кристаллов
Т1п Бег под давлением
1У.З. Влияние гидростатического давления на край
фундаментального поглощения кристалловТвХпТе 2 Результаты и выводы
ПРИЛОЖЕНИЕ.
ОСНОВНЫЕ РЕЗУЛЬТАТЫ И ВЫВОДЫ ПО ДИССЕРТАЦИИ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922