СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ
1.1. Образование радиационных дефектов в СаЛя.
1.2. Отжиг радиационных дефектов в ОаАз.
1.3. Радиационные дефекты в 1пР.
1.4. Состояние вопроса и задачи исследования.
ГЛАВА 2. МЕТОДИКИ ЭКСПЕРИМЕНТОВ
2.1. Экспериментальная установка для измерения параметров глубоких центров методом НЕСГУ.
2.2. Объекты исследования.
2.3. Облучение образцов.
2.4. Измерение профиля концентрации носителей заряда в эпитаксиальных слоях арсенида галлия на барьере электролитполупроводник.
2.5. Выводы. ГЛАВА 3. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ
В ваАБ пТИПА
3.1. Накопление глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида
галлия при комнатной температуре.
3.2. Дефектообразование в интервале температур 0 К.
3.3. Профиль концентрации центров ЕЗ в обратносмещенных при облучении диодах с барьером Шотгки.
3.4. Зависимость степени влияния зарядового состояния
на накопление радиационных дефектов от энергии и массы бомбардирующих частиц.
3.5. Анализ экспериментальных результатов.
3 .6. Облучение ЗаАя интенсивными пучками электронов
3.7. Высокотемпературное облучение СаАв.
3.7. Выводы. 7 ГЛАВА 4. ВЛИЯНИЕ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ НА ИХ НАКОПЛЕНИЕ
В 1пР пТИПА
4.1. Образование центров ЕЮ в НО и ОПЗ фосфида индия при электронном и у облучениях.
4.2. Облучение фосфида индия в температурном
интервале 00 К.
4.3. Новый бистабильный дфкт в 1пР.
4.4. Выводы. 1 ГЛАВА 5. ВЗАИМОСВЯЗЬ ЗАРЯДОВОГО СОСТОЯНИЯ РАДИАЦИОННЫХ ДЕФЕКТОВ С ИХ ОТЖИГОМ В СаАв пТИПА.
5.1. Отжиг глубоких центров в НО и ОПЗ арсенида галлия, облученного у квантами.
5.2. Анализ экспериментальных результатов.
5.3. Влияние зарядового состояния радиационных дефектов на их отжиг в ОаАэ, облученном прогонами,
нейтронами и а частицами.
5.4. Выводы. 9 ГЛАВА 6. ВЛИЯНИЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ ПОЛЕЙ ОБЛАСТЕЙ
РАЗУПОРЯДОЧЕНИЯ НА СПЕКТРЫ НЕСГУ АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ пТИПА.
6.1. и пик в ОвАв птипа, облученном протонами МэВ.
6.2. Влияние неоднородного распределения радиационных дефектов в ОаАз на спектры НЕСГУ.
6.3. Выводы.
ГЛАВА 7. ПОСТИМПЛАНТАЦИОННЫЙ ОТЖИГ
АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
7.1. Отжиг арсенида галлия, имплантированного кремнием, высокоэнергетическим пучком электронов.
7.2. Влияние различных видов отжига на электрофизические свойства ионнолегированных слоев и термическую стабильность полу изолирующего СтаАя.
7.3. Измерение удельного сопротивления полуизолирующего ваАя.
7.4. Выводы.
ВЫВОДЫ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ
- Київ+380960830922