Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I Предварительный обзор
1.1 Особенности электронного строения ВТСПссединений
1.2 Феноменологическая модель ММП
1.3 Гамильтониан Хаббарда и 11 модели
1.4 Используемые выражения для спиновой восприимчивости
ГЛАВА И Динамическая спиновая восприимчивость, нормальная фаза
2.1 Введение
2.2 Модельный гамильтониан
2.3 Динамическая спиновая восприимчивость
2.4 Однозонное приближение, спиновые восприимчивости нижней и верхней зон
2.5 Электроннодырочная симметрия модели Хаббарда
2.6 Приближение быстрых спиновых флуктуаций
2.7 Заключение
ГЛАВА III Сценарий волн зарядовой плотности для лсевдощели в нормальной фазе
3.1 Введение.
3.2. Влияние антиферромагнитных корреляций на закон дисперсии, приближение Роос.
3.3. Волны зарядовой плотности к однородная спиновая восприимчивость в УВагСсцОз при ТСТТ
3.4 Зависимость параметра порядка ВЗП от волнового вектора при учте суперобмена.
3.5 Вывод формулы для динамической восприимчивости при ТСТГ.
ГЛАВА IV. Динамическая спиновая восприимчивость при ТТС 4.1 Однородная восприимчивость.
4.2 Вывод динамической восприимчивости при ТТС
4.3 Заключение
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
Литература
- Київ+380960830922