Развитие метода эффективной массы для анализа электронных состояний в полупроводниковых гетероструктурах

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1 МЕТОД ЭФФЕКТИВНОЙ МАССЫ И ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛЕИЯ
В СИСТЕМАХ С ГЕТЕРОГРАИЦАМИ
1.1. Приближение эффективной массы
в полупроводниковых гетероструктурах
1.2. Оптические свойства твердых тел
с учетом экситонных и полярнтонных эффектов
Выводы.
ГЛАВА 2 ЭФФЕКТИВНЫЙ кр1 АМИЛЬТОНИАН ЭЛЕКТРОНОВ И ДЫРОК В АВ5ГЕТЕРОСТРУКТУРАХ
ГРАНИЧНЫЕ УСЛОВИЯ
2.1. риближение эффективной массы в системах с гетерограницен. Позииионнозавнсимыи псевдокоординатный базис
2.2. Эффективный кргамильтониан в системах с
гетерограницей. Метод инвариантов.
2.3. Эффективные кргамильтонианы
гетерострукгур на основе полупроводников А3В
2.3.1. Гамильтониан зоны Г,.
2.3.2. Гамильтониан зоны Г6.
2.3.3. Гамильтониан зоны Г5
2.3.4. Гамильтониан зоны Г.
2.3.5. Двухзонный гамильтониан ГцФГт
2.4. Граничные условия для огибающих функций
Выводы.
ГЛАВА 3 ЭФФЕКТИВНЫЕ крГАМИЛЬТОНИАНЫ И ДИСПЕРСИЯ IЮСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В СИММЕТРИЧНЫХ КВАНТОВЫХ ЯМАХ
3.1. Г амильтониан электронов и дырок
в Агетсрострукгуре с симметричной
квантовой ямой. Метод инвариантов.
3.2. Расчет констант гамильтониана
методом теории возмущений.
3.3. Расчет спскгра элекгронов и дырок в квантовой яме с помощью
решения уравнения Шредингера
Выводы
IЛАВА 4 ОПТИЧЕСКИЕ ЯВЛ Е1ШЯ В СИСТЕМАХ С
ГЕТЕРОГРАНИЦАМИ. УЧЕТ ЭКСИТОННЫХ И ПОЛЯРИТII1ЫХ ЭФФЕКТОВ
4.1. Теория экситонных поляритонов в кристаллах
4.2. Экономные поляритоны в полупроводниках А,В5. Дисперсия
поляритонов в неограниченных кристаллах
4.3. Теория экснтонов и поляритонов
в системе с одной гстсрограницсй
4.4. риближение оптического диапазона.
Уравнение и граничные условия для
поляритонной волновой функции. 1
4.5. Оптическое отражение от
гетерограницы АЮаАвСаАв.
Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ПРИЛОЖЕНИЯ
ЛИТЕРАТУРА