Аномальные кинетические явления в пленках антимонида индия с электронным типом проводимости

Введение.
Глава I. Обзор литературных данных по методам получения и свойствам пленок I
1.1 Современное состояние синтеза тонких пленок п1п8Ь.
1.2 Электрические и гальвано.магнитные эффекты в пленках п1п8Ь
1.2.1 Особенности рассеяния носителей заряда в полнкристалличсских слоях пИпйЬ
1.2.2 Аномалии эффекта Холла и магнетосопротивления в перекристаллизованных слоях пИпйЬ.
1.3 Особенности характеристик фотопроводимости и поглощения в пленках пЬзБЬ.
1.4 Применение тонких пленок п1пБЬ.
Глава 2. Экспериментальные метод и объекты исследования.
2.1 Получение пленок п1п8Ь на подложках из монокрнсталлнческого кремния.
2.2 Методика проведения измерений и анализ погрешностей.
Глава 3. Аномальные явления в пленках пПпЯЬ.
3.1 Аномалии электрических и гальваномагнитных свойств пленок п1п8Ь.
3.1.1 Определение параметров и механизмов рассеяния в поликристалл ических и перекристаллизованных пленках п1пЬ
3.1.2 Оценка параметров макродефектов в перекристаллизованных пленках п1п8Ь из измерений поперечного магнетосопротивлення
3.1.3 Расчет значений энергии активации носителей заряда и величины потенциальных барьеров в поликрнсталлических и перекристаллизованных пленках пЬаЭЬ из измерений влияния
сильного электрического поля на электропроводность
3.2 Анализ факторов, влияющих на аномальное поведение термоэдс в пленках пЛпБЬ.
3.3 Особенности фотопроводимости и ФЭМэффекта в пленках п1п8Ь
3.4 Вопросы создания некоторых приборов на основе аномальных свойств пленок п1п8Ь.
Заключение
Литература