Фотоиндуцированный парамагнетизм примесных центров в узкощелевых полупроводниках A IV B VI

ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение
Глава I. Свойства РЬТе и РЬщТе, обусловленные
глубокими примесными центрами Са и 1п
1.1. Кристаллическая структура, энергетический
спектр и примесные состояния в полупроводниках Л.Ву1 Ю
1.1.1. Кристаллическая структура и энергетический спектр.
1.1.2. Собственные дефекты и примеси.
1.2. Системы с отрицательной энергией взаимодействия
электронов. Задержанная фотопроводимость.
1.2.1. Концепция отрицательной энергии Хаббарда
1.2.2. Модели примесных центров в АГуВу1.
1.2.3. Влияние примесей на упругие свойства
олу и ро во дн и ко в А1 . В VI
1.3. Магнитные свойства полупроводников АцВу
1.3.1. Магнитная восприимчивость РЬТе и У7е
1.3.2.Магнитная восприимчивость РЬ.пхТе
1.3.3.Магнитная восприимчивость РЬТе и РЬ1.хЗпхТе, легированных элементами III группы.
Краткие выводы и постановка задачи исследования
Глава II. Экспериментальные методы исследований
2.1. Объекты исследования
2.2. Электрофизические измерения.
2.3. Электромагнитное возбуждение ультразвука
2.4. Методы измерения магнитной восприимчивости
Глава III. Метастабильные магнитные состояния
1п и Са в полупроводниках АуВу1.
3.1. Задержанная фотопроводимость в ..1е1п
и РЬТева.
3.2. Аномалии упругих свойств РЬТегОа.
3.3. Влияние примесей III группы на магнитную
восприимчивость РЬТе и ...
3.4. Модель фотоиндуцированного парамагнетизма
примесных центров в узкощелевых полупроводниках.
Приложение. Нелинейная генерация ультразвука в антиферромагнитных диэлектриках.
Литература