Введение в РФЭСРЭОС
1 Физические основы фотоэлектронной и Ожеэлектронной спектроскопии
2.4.2. Вклады начальных и конечных состояний в энергию связи РФЭС
2 4.з. Расчет энергии Ожеперехода
4 Эффект статической зарядки непроводящего образца
5 Интенсивность пиков РФЭС и относительная концентрация атомов
2.5. Методы спектроскопии рассеяния ионов СРМИ и ОРР
2 Энергия рассеянных ионнов
2 Поверхностная чувствительность метода СРМИ
2 5 3 Разрешение СРМИ по массе и энергии
4 Метод обратного резерфордовского рассеяния ОРР легких ионов
2.6 Оценки осажденных веществ
Исследование характера роста и структуры металлического конденсата на различных подложках методами РФЭС, СРМИ и ОРР
3.1 Определение характера роста конденсата по величине удельной свободной поверхностной энергии
3.2. Сравнительная оценка роста одних металлических атомов на разные подложки с помощью РФЭС
3.3. Исследование осаждения на i, С, i, и Си на методами СРМИ и РФЭС
3.4. Неупругие потери СРМИ при исследовании систем i, i и
3 5 Исследование осаждения на поверхность I методами ОРР и РФЭС
Исследование электронной структуры металлического конденсата на различных подложках методом РФЭС
4.1. Эффект статической зарядки системы металлдиэлектрик
4.2. Общая картина размерного эффекта
поверхности
4.3 Влияние начального состояния кластера конечного размера на сдвиг энергии связи
4.4 Сдвиг энергии связи электронов остовных уровней 1 Металлметалл или полуметалл
i, , ВОПГ, i и ВОПГ
4 4.2 Металлполупроводник i
3 Металлдиэлектрик I, , и II
4 5. Разложение вкладов начального и конечного состояний в энергию связи
4.6 структура валентной зоны 4.7. Полуширина остовых уровней
ключение
исок литературы речень сокращений
Введение
Актуальность
- Київ+380960830922