ОГЛАВЛЕНИЕ
Введение . 4
Глава 1. Явления сегнетоэлсктрической релаксации в РМН
1.1. Краткая характеристика сешетоэлекгриков рслаксоров.
1.2. Диэлектрические свойства РМИ.
1.3 Оптические свойства РГ
1.4 Упругие свойства РМ1чт
1.5 Поведение кристаллов РМЫ в электрическом поле.
Глава 2. Особенности эксперимента и методик обработки
данных рентгеноструктурного анализа кристаллов
2.1 Получение кристаллов РКМ и условия проведения
эксперимента
2.2 Оценки чувствительности модулей структурных
амплитуд к атомным параметрам РМК.
2.3 Выбор дифракционных отражений для определения
позиционных параметров атомов РМИ.
2.4 Выбор дифракционных отражений для факторов
ДебаяВаллера атомов РМИ
2.5 Применение МНК для уточнения позиционных
параметров и факторов ДебаяВаллера атомов РМ1
2.6 Расчеты электронной плотности РМ.
Глава 3. Уточнение атомной структуры РМК при низких температурах.
3.1 Исследование структурных особенностей РМЛ
дифракционными методами.
3.1.1 Источники возникновения и модели структурного
упорядочения вРМК.
3.1.2 Структурные исследования РММ
3.2 Структурная модель низкотемпературной фазы
3.2.1 Анализ изменений величин структурных амплитуд
при различных температурных режимах.
3.2.2 Определение атомных параметров РМИ при низких
температурах
3.2.3 Уточнение атомных смещений в РМЫ при
изменении температуры.
3.2.4 Выявление особенностей низкотемпературной фазы РМЫ по картам сечений электронной плотности
Заключение
Библиографический список использованной литературы.
8
9 9 0 1
ВВЕДЕНИЕ
Актуальность