Ви є тут

Фотоэлектрические свойства и фотоструктурные превращения в халькогенидных стеклообразных полупроводниках твердых растворов (As2 S3)x . (As2 Se3)1-x , легированных металлами.

Автор: 
Фещенко Игорь Сергеевич
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
130
Артикул:
136176
179 грн
Додати в кошик

Вміст

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. Энергетическая структура и ос
обенностн легирования халькогенидных стеклообразных
полупроводников системы А8зхА8ез1.х
1.1. Общие свойства халькогенидных стеклообразных
полупроводников системы Л8зхА5езх.
1.1 Л. Структура электронного энергетического спектра
1.1.2. Исследования края фундаментального поглощения
ХСП системы АзхА8ез1.х
1.1.3. Дисперсионная зависимость показателя преломления
в ХСП системы А8зхАзез.х.
1.2. Примесные и дефектные состояния в легированных
ХСП системы А8зх А8ез.х
1.2.1. Исследование примесной проводимости
легированных ХСП системы АхАе3.х .
1.2.2. Особенности сильнонеравновесно легированных
пленок системы А8зхА8ез.х
1.2.3. Модель образования в сильнонеравновесно
легированных пленках ХСП микронеоднородностей .
1.3. Фотопроводимость ХСП
системы Л8зХА8е31.х
1.4. Голографические свойства пленочных
систем А8ез8п2, АА.
ГЛАВА 2. Технологические условия получении и исследование фотоэлектрических и голографических характеристик массивных и пленочных ХСП системы
А8зхА8ез.х
2.1. Технология получения монолитных ХСП
состава АхАзез.х.
2.2. Исследование технологических условий получения тонких пленок ХСП системы А3хА8е3.х.
2.2.1. Разработка и изготовление вакуумнотехнологической установки для получения однородных
по составу фоточувствительных пленок .
2.2.2. Получение тонких пленок системы
А8зхАез.х .
2.3. Методика исследований фотоэлектрических и голографических параметров и характеристик
ХСП системы А8зхАе3.х .
2.4. Исследование фогочувствительности монолит ных стеклообразных полупроводников системы
2.5. Фотоэлектрические свойства тонких пленок
А8зо.з Аззо.7 легированных 8п и РЬ .
2.6. Исследование основных голографических
характеристик пленок ХСП Ао зА8е3о.7 п
ГЛАВА 3. Исследование процессов диффузии в
пленочных структурах А8зхА8езх XV
3.1. Методика получения и экспериментального исследования процессов диффузии в системе
А8з.хА8е3х Ю2
3.2. Процессы диффузии в системе
А8зхА8ез,.х.
3.3. Оптические свойства системы Абз
ГЛАВА 4. Основные голографические характеристики
системы Ао.з А8е3о.7ЗУ
4.1. Методика получения и экспериментального
исследования пленочной системы Л8зо.зА8е3о.7У
4.2. Исследование совместного влияния 8п и на
голографические свойства системы А8зо.з,А8езо.7.
4.3. Определение оптимального соотношения толщины оксидного подслоя и ХСП для получения максимальной дифракционной эффективности
системы А8зо.ЗА3е3о.7ЛЮ2
4.4. Управление дифракционной эффективностью системы А3зо.зА8езо.7У для получения
дифракционных элементов на просвет и на отражение .
4.5. Сравнительный анализ голографических
характеристик системы А8зо.зА5езо.7
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА