Ви є тут

Процессы переноса энергии возбуждения в активированных стеклообразных полупроводниках

Автор: 
Маньшина Алина Анвяровна
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
114
Артикул:
136373
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ОПТИЧЕСКИЕ СВОЙСТВА ИОНОВ ЭРБИЯ В КОНДЕНСИРОВАННЫХ СРЕДАХ.
1.1 Механизмы антистоксовой люминесценции.
1.2 Редкоземельные ионы. Эрбий Ег.
1.3 Оптические матрицы для легирования РЗИ.
1.4 Перспективные направления исследований.
Новые оптические материалы.
1.5 Излучательные и безызл у нательные процессы.
1.6 Выбор основы с оптимальными характеристиками.
1.7 Свойства халькогенидных стекол.
1.8 Объект исследования.
Заключение к главе 1.
ГЛАВА 2. ИССЛЕДОВАНИЕ ОПТИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК ХАЛЬКОГЕНИДНОЙ СИСТЕМЫ Оа2Я3 Зе Ег2й3.
2.1 Спектроскопия поглощения в средней ИК области.
Примесное поглощение.
2.2 Спектроскопия поглощения в видимой и ближней ИК области
2.3 Описание многофункционального спектральнолюминесцентного
комплекса.
2.4 Спектры поглощения ХГС.
2.5 Зависимость оптической ширины запрещенной зоны исследуемой
халькогенидной системы от режима синтеза и химического состава.
2.6 Расчет основных спектроскопических характеристик
халькогенидной системы 0.1 бОагБз 0.СтеЕг .
2.7 Сравнительный анализ параметров интенсивности ДжаддаОфельта.
2.8 Влияние локального окружения ионов Ег3.
2.9 Г ииерчувствительные переходы.
Заключение к главе 2.
ГЛАВА 3. ЛЮМИНЕСЦЕНТНАЯ СПЕКТРОСКОПИЯ ХАЛЬКОГЕНИДНОЙ СИСТЕМЫ ОаСеБЕг3.
3.1 Описание спектральнолюминесцентного комплекса для люминесцентной спектроскопии.
3.2 Спектры антистоксовой люминесценции халькогенидной системы ОаСе8Ег3 при возбуждении нм.
3.3 Спектры антистоксовой люминесценции халькогенидной системы ОаСс8Ег3 при возбуждении 2 нм.
3.4 Влияние режима синтеза ХГС на люминесцентные свойства системы.
3.5 Зависимость интенсивности ЛСЛ халькогенидной системы ОЛбОагвз
0.СеЕг от концентрации ионов эрбия.
Заключение к главе 3.
ГЛАВА 4. СПЕКТРОСКОПИЯ С ВРЕМЕННЫМ РАЗРЕШЕНИЕМ.
4.1 Кинетика люминесценции.
4.2 Схема установки для люминесцентной спектроскопии с временным разрешением.
4.3 Исследование времени жизни уровней ионов эрбия при возбуждении излучением с шиной волны 2 нм и нм.
4.4 Кинетика безызлучатсльных процессов теоретическое представление.
4.5 Кинетика затухания люминесценции. Анализ экспериментальных результатов.
4.6 Вероятность процесса многофононной релаксации в халькогенидной системе 0.Саз0.Се.
4.7 Пространственное распределение ионов эрбия в халькогенидной системе 0.i523.2.3.
Заключение к главе 4.
ГЛАВА 5. ИССЛЕДОВАНИЕ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СВОЙСТВ
ХАЛЬКОГЕНИДНЫХ СТЕКОЛ, АКТИВИРОВАННЫХ ИОНАМИ ЭРБИЯ.
5.1 Описание экспериментальной установки и методики измерения проводимости.
5.2 Экспериментальные результаты и их обсуждение.
Заключение к главе 5.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ