Ви є тут

Структурные эффекты ионизации в широкозонных диэлектриках

Автор: 
Скуратов Владимир Алексеевич
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
2008
Кількість сторінок: 
176
Артикул:
136808
179 грн
Додати в кошик

Вміст

СОДЕРЖАНИЕ
ГЛАВА 1. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ МЕТОДЫ ИССЛЕДОВАНИЙ.
1.1 Краткая характеристика ускорителей тяжелых ионов.
1.2 Устройства диагностики пучков тяжелых ионов в экспериментах
по радиационному материаловедению.
1.3 Мишенные устройства для облучения образцов высокоэнергетическими ионами
1.4 Установки регистрации спектров ионностимулированной люминесценции.
1.5 Методики исследования облученных материалов
1.6 Подготовка образцов для облучения и иослсрадиациониых
исследований
1.7 Выводы к Главе 1.
ГЛАВА 2. ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКАЯ ИОНОЛЮМИНЕСЦЕНЦИЯ
МОНОКРИСТАЛЛОВ А.
2.1 Спектральный состав высокоэнергетической люминесценции сапфира
2.2 Влияние уровня радиационных повреждений на ионолюмииесценцию
2.3 Зависимость спектрального состава ионолюминесценции сапфира от плотности ионизации.
2.41п8Йи пьезоспектроскопический анализ механических напряжений
в А0зСг при облучении высокоэнергетическими ионами.
2.5 Выводы к Главе 2.
ГЛАВА 3. ШвШГ И ПОСЛЕРАДИАЦИОННЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ
ОПТИЧЕСКИХ СВОЙСТВ Ш.
3.1 Спектры поглощения монокристаллов 1лР, облученных тяжелыми
ионами высоких энергий
3.2 Спектральный состав ионолюминесценции фторида лития
3.3 Ионо, фото и катодолюминесценция агрегатных центров окраски
3.4 Выводы к Главе 3
ГЛАВА 4. СТРУКТУРНЫЕ ЭФФЕКТЫ ВЫСОКОЙ ПЛОТНОСТИ ИОНИЗАЦИИ В РАДИАЦИОННОСТОЙКИХ
ДИЭЛЕКТРИКАХ
4.1 Образование треков и влияние ионизации на дефектную структуру
в 4 при облучении тяжелыми ионами высоких энергий.
4.2 Структурный отклик i, I, i3.,, Л на воздействие высокоэнергетических тяжелых ионов.
4.3 Механизмы формирования латентных треков
4.4 Выводы к Главе 4.
ГЛАВА 5. МОДИФИКАЦИЯ ПОВЕРХНОСТИ А, , I4,
ВЫСОКОЭНЕРГЕТИЧЕСКИМИ ИОНАМИ.
5.1 Параметры дефектов на поверхности А, , 4,, вызванных единичными тяжелыми ионами высоких энергий.
5.1.1 АОэ
5.1.2 4
5.1.3
5.1.4
5.1.5 i
5.2 Зависимость формы дефектов на поверхности А от угла падения
5.3 Влияние температуры мишени при облучении на параметры
дефектов поверхности А и 4.
5.4 Зависимость морфологии нарушений поверхности А от флюенса
5.5 Модификация поверхности кристаллов А с существующей
дефектной структурой.
5.6 Механизмы формирования наноразмерных дефектов на поверхности
оксидов
5.6.1. Оценка термоупругих напряжений в области ионного трека
5.6.2. Формирование дефектов на поверхности в модели
кулоновского взрыва
5.7 Выводы к Главе 5
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА