Особенности электронной и спиновой динамики в граничном слое гетероструктуры AlGaAs/GaAs

Содержание
Введение
Глава 1. Двумерный электронный газ
1.1. Г етеропереходы
1.2. Механизмы релаксации
1.3. Временные масштабы процессов в гетероструктурных
полупроводниках
1.4. Методика создания образца ,
1.5. Принципы метода четырехволнового смешения
Глава 2. Исследование электронной динамики в двумерном электронном газе
2.1. Метода накачказондирование
2.2. Исследование электронной динамики методом наведенной
решетки
2.3. Метод фотонного эха
2.4. Экспериментальная установка и ее особенности
2.5. Результаты и их обсуждение
2.6. Результаты и выводы к главе
Глава 3. Исследование спиновой динамики в двумерном электронном газе
3.1. Оптическая ориентация спинов электронов
3.2. Создание наведенной решетки спинов
3.3. Метод, основанный на времяразрешенном оптическом
эффекте Керра
3.4. Метод, основанный на эффекте Керра в магнитном поле
3.5. Результаты и их обсуждение
3.6. Результаты и выводы к главе
Заключение
Благодарности
Список цитированной литературы