ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
Глава 1. Эффекты поляронного взаимодействия в двумерных электронных
системах на основе СаАэ Обзор
1.1. Поляроны в полупроводниках.
1.2. Резонансное поляронное взаимодействие.
1.3. Линии ЬОфононов в туннельных спектрах переходов
на основе ва Аб
Глава 2. Изготовление туннельных переходов методом МЛЭ и
характеристики образцов.
2.1. Технология МЛЭ изготовления туннельной структуры АУоСаАз
2.2. Основные параметры туннельных структур АГбваАБ
Глава 3. Методические особенности измерений туннельных спектров,
их анализа и обработки.
3.1. Формулы для анализа туннельных характеристик структур
А1бОаАБ.
3.2. Методики измерения туннельных спектров, определение
положений уровней в ДЭС и сравнение с расчетом.
3.3. Выделение многочастичных особенностей в туннельных
спектрах
3.4. Туннельная плотность состояний в области сверхпроводящей
щели в алюминиевом электроде структуры АГбваАБ.
Глава 4. Магнитотранспортные измерения в приповерхностных
5легированных слоях
4.1. Структуры приповерхностными 5слоями
4.2. Зависимость подвижности в заполненых подзонах ДЭС от
напряжения на металлическом затворе
4.3. Структура с двумя 6слоями
4.4. Выводы
Глава 5. Эффект замороженной туннельной фотопроводимости
5.1. Основные проявления эффекта ЗТФП при температуре 4.2К
5.2. Влияние геометрии затворов и энергии кванта излучения на
эффекгЗТФП
5.3. Температурная граница эффекта ЗТФП
5.4. Заключительные замечания и выводы
Глава 6. Диамагнитный сдвиг уровней и резонансные поляронные
эффекгы в приповерхностном 6слое
6.1. Зависимость туннельных спектров от
продольного 6слою магнитного поля
6.2. Резонансные поляроны в
приповерхностном 6слое
6.3. Выводы
Глава 7. Линии фононов в туннельных спекграх ДЭС
7.1. Линии фононов в туннельных спектрах струкгур
с 3 и 2 электродом в
7.2. Эффекг отражения элекгронов при туннелировании в ДЭС
на пороге эмисии фонона
7.3. Зависимость эффекта отражения от плотности ДЭС
7.4. Поляронные особенности в собственной энергии
электрона в ДЭС
7.5. Выводы
Глава 8. Туннельная плотность состояний на поверхности Ферми в ДЭС 6
легированного слоя
8.1. Вводные замечания
8.2. Туннельноспектроскопические исследования ДЭС 6слоя
при гидростатических давлениях
8.3. Зависимость туннельной плотности состояний на поверхности
Ферми от концентрации электронов в ДЭС
8.4. Зависимость аномалии при нулевом смещении в туннельных
спектрах от магнитного поля для структур с
8.5. Выводы
Глава 9. Отклик туннельных структур на импульсное излучение
субмиллиметрового лазера с оптической накачкой
9.1. Вводные замечания
9.2. Отклик структур 5 на излучение с длинами волн
и 0 мкм
9.3. Фотоотклик структур с двойным разрезным затвором
9.4. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИИ
Литература
- Київ+380960830922