Ви є тут

Исследование и разработка усилителей считывания с повышенной устойчивостью к технологическому разбросу параметров транзисторов

Автор: 
Дунаева Мария Андреевна
Тип роботи: 
кандидатская
Рік: 
2010
Кількість сторінок: 
122
Артикул:
58692
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Введение
Глава 1. Схемотехника элементов статической памяти
1.1 Ячейка памяти
1.2 Схема предзаряда
1.3 Цепь записи
1.4 Мультиплексор
1.5 Усилитель считывания
Глава 2. Усилители считывания
2.1 Основные типы усилителей считывания
2.2. Усилитель напряжения
2.3. Токовый усилитель считывания
Глава 3. Методы увеличения процента безошибочных срабатываний усилителей
3.1 Соотношение ширины и длины канала
3.2 Использование схем компенсации порогового напряжения
3.3 Исследование характеристик зарядовых усилителей считывания
Глава 4. Зарядовые усилители считывания
4.1 История применения зарядовых усилителей считывания
4.2 Исследование характеристик разработанного зарядового усилителя считывания
Глава 5. Основные результаты работы
Заключение
Приложение
Приложение II
Приложение III
Список литерату