Системы управления технологическими режимами магнетронного нанесения тензорезистивных пленок

Содержание
Введение
1. Анализ методов и средств синтеза тонкопленочных
тензорезисти вн ых элементов
1. . Параметры тензорезисторов
1.2. Конструкция тензорезистивного датчика
1.3. Формирование топологии чувствительного элемента тензорезисторного датчика давления
1.4. Оборудование для нанесения покрытий в вакууме
Выводы по первой главе
2. Системы управления технологическими режимами магнетронного распыления
2.1. Принципы построения систем управления технологическими режимами магнетронного распыления
2.2. Скорость магнетронного распыления
2.3. Система программного управления технологическими режимами магнетронного распыления
2.4. Многоканальная и адаптивная системы управления технологическими режимами магнетронного распыления
2.5. Скорость распыления при импульсном питании магнетронного распылителя
Основные результаты и выводы по второй главе
3. Оборудование для получения тонкопленочных тензорезистивньтх элементов
3.1. Разработка магнетронного распылителя
3.2. Анализ неравномерности толщины покрытий и способы ее снижения
Основные результаты и выводы но третьей главе
4. Экспериментальное исследование тонкопленочных структур
4.1 Исследование однокомпонентных тонких пленок хрома и никеля
4.2. Исследование двухслойных структур хромникель
4.3. Исследование двухкомпонентных структур хромникель, синтезированных распылением из независимых источников.
Основные результаты и выводы по четвертой главе
5. Результаты внедрения и перспективы использования
5.1. Результаты внедрения
5.2. Перспективы использования разработанного оборудования и 6 технологии синтеза многокомпонентных тонких пленок
Основные результаты работы
Заключение
Перечень принятых сокращений
Список литературы