Математическое моделирование физических процессов в биполярных полупроводниковых приборах

СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА I. ФИЗИКОМАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ И АЛГОРИТМЫ АНАЛИЗА ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ ПРИБОРОВ Обзор литературы
1.1. Роль математического моделирования в автоматизации проектирования полупроводниковых приборов
1.2. Основные допущения аналитической теории рп перехода
1.3. Алгоритмы математического моделирования физических процессов в биполярных полупроводниковых приборах
1.4. Физикоматематические модели процессов в структурах мощных полупроводниковых приборов
1.5. Моделирование полупроводниковых датчиков излучения
и датчиков магнитного поля .
1.6. Постановка задачи исследования
ГЛАВА П. ФИЗИКОМАТЕМАТИЧЕСКИЕ МОДЕЛИ ПРОЦЕССОВ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА ПРИ ВОЗДЕЙСТВИИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО И МАГНИТНОГО ПОЛЕЙ
2.1. Постановка проблемы исследования
2.2. Основные уравнения переноса тока в полупроводниковом материале.
2.3. Уравнения для токов в условиях электроннодырочного рассеяния.
2.4. Уравнения для токов электронов и дырок в полупроводнике при воздействии на него магнитного поля .
2.5 Математические модели процессов генерациирекомбинации носителей заряда
2.6. Эмпирические формулы для подвижности носителей заряда
2.7. Граничные условия на изолирующих поверхностях и контактах структуры прибора ..
2.8. Приведение уравнений математической модели к безразмерному виду
2.9. Выводы по второй главе
ГЛАВА Ш. ВЫЧИСЛИТЕЛЬНЫЕ АЛГОРИТМЫ И ПРОГРАММА ЧИСЛЕННОГО АНАЛИЗА СТАТИЧЕСКИХ И ДИНАМИЧЕСКИХ ХАРАКТЕРИСТИК БИПОЛЯРНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУР
3.1. Направление исследования
3.2. Конечноразностная аппроксимация уравнений математической модели
3.3. Итерационная процедура решения разностных уравнений математической модели и практическая реализация вычислительного алгоритма .
3.4. Решение уравнения Пуассона в задачах анализа статических режимов полупроводниковых приборов
3.5. Исследование эффективности алгоритма моделирования
3.6. Программа одномерного анализа статических и динамических характеристик биполярных полупроводниковых приборов.
3.7. Выводы по третьей главе .
ГЛАВА 1У. ИССЛЕДОВАНИЕ СТАТИЧЕСКИХ И ИМПУЛЬСНЫХ ХАРАКТЕРИСТИК МОЩНЫХ ДИОДНЫХ СТРУКТУР И ТРАНЗИСТОРНЫХ ФОТОПРИЕМНЫХ ЭЛЕМЕНТОВ ОПТОПАР МЕТОДОМ МАТЕМАТИЧЕСКОГО МОДЕЛИРОВАНИЯ НА ЭВМ
4.1. Задачи исследования
4.2. Влияние электроннодырочного рассеяния и Ожерекомбинации на вольтамперную характеристику кремниевых многослойных структур .
4.3. Влияние распределения времени жизни вдоль структуры
диода на длительность переходных процессов переключения
4.4. Оптимизация параметров транзисторных фотоприемных элементов оптопар .
4.5. Выводы по четвертой главе .
ГЛАВА У. ЧИСЛЕННЫЙ АНАЛИЗ ГАЛЬВАНОМАГНИТНЫХ ЯВЛЕНИЙ В ПОЛУПРОВОДНИКАХ СО СМЕШАННОЙ И М0Н0П0ЛЯРН0Й ПРОВОДИМОСТЬЮ
5.1. Цели исследования
5.2. Исследование эффекта Холла в полупроводниковых датчиках с монополярной проводимостью в пространственно неоднородном магнитном поле .
5.3. Анализ гальваномагнитных явлений в полупроводниковых образцах со смешанной проводимостью неограниченной длины
5.4. Моделирование эффекта Холла в полупроводниковых датчиках ограниченных размеров со смешанной проводимостью.
5.5. Выводы по пятой главе
ЗАКЛЮЧЕНИЕ.
ЛИТЕРАТУРА