ОГЛАВЛЕНИЕ
Перечень условных обозначений и сокращений Введение
1. Сегнетоэлектрические пленки для тонкопленочных структур различного назначения
1.1. Сегнетоэлектрики и их основные свойства
1.2. Сегнетоэлектрические пленки методы получения и свойства
1.3. Многослойные структуры с сегнетоэлектриками для различных применений
Выводы и постановка задачи
2. Материалы, технология получения тонких пленок для многослойных структур и методы их исследования
2.1. Подложки, пленочные металлические и полупроводниковые электроды для многослойных структур с цирконатомтитанатом свинца
2.2. Технология получения пленок различных материалов для тонкопленочных структур
2.2.1. Осаждение нижнего и верхнего платиновых электродов
2.2.2. Формирование сегнетоэлектрических пленок цирконататитаната свинца
2.2.3. Получение полупроводниковых пленок диоксида олова
2.3. Методы исследования тонких пленок и структур на их основе
2.3.1. Структурные методы исследования
2.3.2. Оптический метод контроля однофазности пленок ЦТС
2.3.3. Измерения вольтфарадных характеристик и диэлектрического гистерезиса
2.3.4. Метод модулирования интенсивности лазерного излучения Выводы
3. Характеризация тонких пленок и конденсаторных структур
на их основе
3.1. Морфология поверхности нижних платиновых электродов
3.2. Влияние подложки и нижнего электрода на структуру и свойства пленок ЦТС
3.3. Свойства сегнетоэлектрических пленок ЦТС, полученных распылением мишеней стехиометрического состава
3.4. Свойства пленок ЦТС, полученных распылением мишеней с избытком свинца. Самополяризованное состояние в пленках ЦТС
Выводы
4. Тонкопленочные структуры на основе сегнетоэлектрических пленок цирконататитаната свинца и возможности их применения
4.1. Конденсаторные структуры на основе пленок ЦТС для пироэлектрических приемников ИК излучения
4.2. Тонкопленочные структуры сегнетоэлекгрикполупроводник.
Дозиметр УФ излучения на основе структур ЦТС 8п.х е
Выводы
Заключение
Литература
- Київ+380960830922