Вы здесь

Особенности спектрального преобразования при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в полупроводниковых структурах на основе n-GaAs, n-InP, n-GaN

Автор: 
Сергеев Сергей Алексеевич
Тип работы: 
кандидатская
Год: 
2010
Количество страниц: 
177
Артикул:
233039
129 грн
(417 руб)
Добавить в корзину

Содержимое

ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ.
Глава 1.
ВОЛНЫ ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ
1.1. Волновые процессы в твердых телах и их использование в электронике СВЧиКВЧ.
1.2. Волны пространственного заряда в полупроводниках и полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью.
1.3. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в полупроводниках и полупроводниковых структурах с отрицательной дифференциальной проводимостью
1.4. Выводы .
Глава 2.
ОСОБЕННОСТИ РАСПРОСТРАНЕНИЯ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В , И
2.1. Перспективы арсенида галлия, фосфида индия и нитрида галлия для применения их в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках.
2.2. Влияние диффузии и дисперсии дифференциальной подвижности электронов на постоянную распространения волн пространственного заряда в п, п1пР и .
2.3. Фазовая скорость волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью
2.4. Влияние концентрации электронов в пленке п, п1пР и на граничную частоту усиления волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах
2.5. Выводы.
Глава 3.
ПАРАМЕТРИЧЕСКОЕ ВЗАИМОДЕЙСТВИЕ ВОЛН ПРОСТРАНСТВЕНИОГО ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКАХ И ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.
3.1. Теоретическое исследование параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью в одномерном случае.
3.1.1 Линейное приближение
3.1.2 Нелинейный анализ распространения и параметрического взаимодействия волн пространственного заряда в структурах п
3.2. Параметрическое взаимодействие волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах на основе , п1пР и
3.2.1 Гонкопленочные полупроводниковые структуры симметричного типа
3.2.2 Тонкопленочные полупроводниковые структуры асимметричного типа
3.2.2.1 Уравнения для амплитуд параметрически связанных волн пространственного заряда.
3.2.2.2 Анализ параметрического взаимодействия волн пространственного заряда для тонкопленочной полупроводниковой структуры с сильной асимметрией.
3.3. Выводы
Глава 4.
ВОПРОСЫ РАЗРАБОТКИ УСТРОЙСТВ НА ЭФФЕКТЕ ПАРАМЕТРИЧЕСКОГО ВЗАИМОДЕЙСТВИЯ ВОЛН
ПРОСТРАНСТВЕННОГО ЗАРЯДА В ТОНКОПЛЕНОЧНЫХ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ С ОТРИЦАТЕЛЬНОЙ ДИФФЕРЕНЦИАЛЬНОЙ ПРОВОДИМОСТЬЮ.
4.1. Разработка и конструирование функциональных устройств 8мм диапазона на волнах пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах пОаАя
4.1.1 Конструирование тонкопленочной полупроводниковой структуры .
4.1.2 Конструирование НЧ и СВЧ схемы.
4.1.3 Экспериментальное исследование преобразования частоты при параметрическом взаимодействии волн пространственного заряда в тонкопленочных полупроводниковых структурах пСаА в 8мм диапазоне
4.2. Эффективность возбуждения волн пространственного заряда в тонкопленочной полупроводниковой структуре одиночным полосковым барьером Шоттки.
4.3. Фильтрация сигнаюв в устройствах на волнах пространственного заряда в полупроводниках
4.4. Интегральный преобразователь частоты миллиметрового диапазона длин волн на волнах пространственного заряда в полупроводниках с отрицательной дифференциальной проводимостью.
4.4.1 Конструкция преобразователя частоты
4.5. Выводы
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
СПИСОК ЛИТЕРАТУРЫ