СОДЕРЖАНИЕ
ВВЕДЕНИЕ .
ГЛАВА I. ОБЗОР ЛИТЕРАТУРЫ И ПОСТАНОВКА ЗАДАЧИ ИССЛЕДОВАНИЯ
1.1. Физические особенности работы мощных полупроводниковых структур .
1.2 Методы численного моделирования характеристик
полупроводниковых структур .
1.3. Постановка задачи исследования
ГЛАВА 2. УРАВНЕНИЯ ПЕРЕНОСА НОСИТЕЛЕЙ ЗАРЯДА В ПОЛУПРОВОДНИКОВЫХ СТРУКТУРАХ .
2.1. Квазигидроданамическое приближение для описания
процесса переноса носителей заряда в полупроводниковых структурах
2.2. Уравнения переноса и соотношение Эйнштейна в полупроводниках в условиях сильного электроннодырочного рассеяния
2.3. Эффекты сильного и неоднородного легирования
2.4. Влияние эффектов сильного и неоднородного легирования на перенос носителей заряда в полупроводниковых структурах . 4
2.5. Выводы к главе 2
ГЛАВА 3. ЧИСЛЕННЫЙ АЛГОРИТМ РЕШЕНИЯ ФУНДАМЕНТАЛЬНОЙ СИСТЕМЫ
УРАВНЕНИЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВОЙ СТРУКТУРЫ
3.1. Уравнения математической модели полупроводниковой
структуры
3.2. Разностная схема
3.3. Пакет програш дая численного моделирования силовых диодов и тиристоров .
3.4. Выводы к главе 3
ГЛАВА 4. АНАЛИЗ ХАРАКТЕРИСТИК СИЛОВЫХ ДИОДОВ И ТИРИСТОРОВ
С ПОМОЩЬЮ ЧИСЛЕННОЙ МОДЕЛИ .
4.1. Введение
4.2. Анализ вклада нелинейных физических эффектов в прямую ВАХ СПП
4.3. Анализ вклада нелинейных физических эффектов в переходный процесс восстановления рпп структуры
4.4. Численное моделирование процесса выключения мощных тиристоров .
4.5. Численное моделирование статической вольтамперной характеристики диода Шоттки .
4.6. Выводы к главе 4
ЗАКЛЮЧЕНИЕ .
ЛИТЕРАТУРА