Введение .
Глава 1. Эпитаксиальноинтегрированные гетероструктуры для мощных лазерных диодов литературный обзор по теме исследования . .
1.1 Сравнительный анализ различных способов повышения выходной оптической мощнос ти полупроводниковых
лазерных диодов . . . . . . . . .
1.2 Конструирование эпитаксиальноинтегрированных лазеров .
1.3. Особенности технологии формирования гетероструктур для эпитаксиальноинтегрированных лазеров . . . .
Глава 2. Методика получения эпитаксиальных слоев в системе материалов ЬКЗаАзАЮаАБСаАв методом МОСгидридной эпитаксии . .
2.1. Метод МОСгидридной эпитаксии. Исходные материалы и аппаратурное оформление процесса .
2.2. Измерительное оборудование для исследования основных параметров выращиваемых гетероструктур . . . .
Глава 3. Особенности формирования эпитаксиальноинтегрированных гетероструктур в условиях МОСгидридной эпитаксии .
3.1 Разработка геометрии эпитаксиальных гетероструктур для мощных лазерных диодов .
3.2. КД лазерного диода. Выбор оптимального профиля легирования .
3.3. Легирование эпитаксиальных слоев СаАя и АЮаАв
при помощи тетрахлорида углерода .
3.4. Профильное легирование эпитаксиальных слоев ОаАэ
и АЮэАб при помощи тетрахлорида углерода . . . .
3.5. Разработка туннельного перехода для эпигаксиальноиитегированных гетероструктур . . . . . .
3.6. Интеграция лазерных гетероструктур с помощью
туннельного перехода
Глава 4. Изучение приборных характеристик мощных лазерных диодов, созданных на основе эиитаксиальноинтегрированных гетероструктур ГпСаАзЛЮаАзСаАз . . . . .
4.1. Мощные импульсные лазерные диоды на основе эпитаксиальноинтегрированных гетероструктур с узким симметричным волноводом . . . . . .
4.2 Мощные импульсные лазерные диоды на основе эпитаксиальноинтегрированных гетероструктур с широким асимметричным волноводом . . . . .
Выводы . . . . . . . . .
Список литературы
- Київ+380960830922