Ви є тут

Исследование радиационно-термических процессов формирования ионно-легированных слоёв n-GaAs

Автор: 
Ардышев Михаил Вячеславович
Тип роботи: 
диссертация кандидата физико-математических наук
Рік: 
2000
Кількість сторінок: 
151
Артикул:
1000263640
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
Список сокращений и условных обозначений
Введение
Глава 1 Радиационный отжиг арсенида галлия обзор литературных данных
1.1. Импульсный отжиг ваАв в адиабатическом режиме
1.2. Импульсный отжиг ваАв в изотермическом режиме
1.3. Постановка задачи исследований
Глава 2 Методика эксперимента
2.1 Исходный материал
2.2 Имплантация ионов
2.3 Диэлектрические плнки и отжиг
2.4 Измерения на тестовых кристаллах
2.5 Измерение удельного сопротивления, слоевой концентра НИИ и холловской подвижности электронов метод Ван дер
Глава 3 Роль атсрмических факторов в процессах пе
рераспределения примесей в ваАв при радиационном отжиге
3.1 Электронный отжнгСаЛв, имплантированного
3.1.1 Расчт распределения поглощнной энергии при облуче нии электронами и температуры нагрева СаАБ
3.1.2 Электрофизические свойства ИЛС пваАв, имплантиро ванного кремнием, после электронного отжига
3.2 Фотонный отжиг ваАв, имплантированного кремнием и серой
3.2.1 Расчт температуры нагрева при фотонном отжиге
3.2.2 Электрофизические свойства ИЛС ваАз в после фотонного отжига
3.2.3 Электрофизические свойства ИЛС СаАз 8 после ФО
Выводы к Главе 3
Глава 4 Исследование влияния различных факторов на
поведение примеси и дефектов в ваАв при радиационном отжиге
4.1 Определение параметров концентрационного профиля
примеси после отжига
4.2 Влияние температуры при фотонном и плотности мощ пости при электронном отжигах на поведение кремния в арсенидегаллия
4.3 Влияние диэлектрических плнок на поведение i в
4.3.1 Механические напряжения в структуре диэлектрикполу 2 проводник
4.3.2 Концентрационные профили
4.4 Влияние исходного материала иа поведение кремния в 7 арсениде галлия
4.5 К вопросу о механизме наблюдаемых явлений
4.5.1 Диффузия примеси, стимулированная ноннзационнотер 9 мическим процессом
4.5.2 Элсктроактивация примеси, стимулированная ионизаци 2 оннотермнческим процессом
Выводы к Главе 4
Глава 5 Применение ионизационнотермической техно
логии в производстве структур полупроводниковых приборов
5.1 Полевые транзисторы с барьером Шотткн
5.2 Варикапы
Выводы к Главе 5
Заключение
Список публикаций автора
Литература