Осаждение пленок GaAs из абляционной плазмы, формируемой импульсным мощным ионным пучком

Оглавление
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1. ПОЛУЧЕНИЕ ПЛЕНОК АРСЕНИДА ГАЛЛИЯ
1.1. Свойства арсенида галлия
1.2 Применение тонких плнок в современной технике
1.3 Метод выращивания СаАэ
1.4 Методы нанесения тонких пленок
1.5 Импульсные методы осаждения тонких плнок.
1.6 Особенности роста плнок в условиях непрерывной и импульсной конденсации
ГЛАВА 2. ОБОРУДОВАНИЕ И МЕТОДИКА ЭКСПЕРИМЕНТА.
2.1. Сильноточный импульсный ионный ускоритель ТЕМП.
2.2 Методика эксперимента.
2.3 Диодные системы.
2.4. Методы анализа применяемые для полупроводниковых пленок
2.5 Методы определения состава и профилей концентрации
ГЛАВА 3. КОЭФФИЦИЕНТ ЭРОЗИИ МИШЕНИ ИЗ САА8 ПРИ
ВОЗДЕЙСТВИИ ИМПУЛЬСНОГО МОЩНОГО ИОННОГО ПУЧКА.
3.1 Морфология поверхности мишени из СаАэ при воздействии МИП.
3.2 Исследование стехиометрического состава мишени и размера
кристаллитов при воздействии МИП
3.3. Коэффициент импульсной эрозии СаАэ при воздействии МИП.
3.4. Угловая зависимость распространения материала эрозии ваЛь при воздействии МИП
ГЛАВА 4. ОСАЖДЕНИЕ ПЛЕНОК САА8 ИЗ АБЛЯЦИОННОЙ ПЛАЗМЫ, ФОРМИРУЕМОЙ ИМПУЛЬСНЫМ МОЩНЫМ ИОННЫМ ПУЧКОМ.
4.1.Морфология поверхности.
4.2. Стехиометрический состав пленок СаАэ.
4.3. Анализ структуры пленок
4.4. Исследование пленок ваАз на диэлектрической подложке методом Рамановской спектроскопии
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА