Содержание
Введение
Глава 1. Релятивистская теории функционала плотности .
1.1. Релятивистская одноэлектронная теория.
1.1.1. Уравнение Дирака для свободного электрона.
1.1.2. Уравнение Дирака для электрона во внешнем электромагнитном поле.
1.1.3. Низкоэнергетический предел .
1.2. Обобщение теории Дирака на случай многоэлектронных систем релятивистская теория функционала плотности.
1.2.1. Релятивистский формализм
1.2.2. Магнетизм.
1.2.3. Скалярное релятивистское приближение
1.2.4. Спинорбитальное взаимодействие.
Глава 2. Релятивистский метод линеаризованных присоединенных плоских волн.
2.1. Присоединенные плоские волны
2.2. Концепция линеаризации
2.3. Концепция полнопотенциального метода
2.4. Релятивистский метод ЛППВ
2.5. Метод второй вариации.
Глава 3. Поверхности тяжелых металлов
3.1. Поверхность РЬ1
3.2. Вицинальная поверхность Аи1
3.2.1. Спииорбитапьное взаимодействие на террасах.
3.3. Поверхность лантана и лютеция
3.3.1. Детали расчета
3.3.2. Кристаллическая структура объема .
3.3.3. Релаксация атомной структуры поверхности .
3.3.4. Плотность электронных состояний.
3.3.5. Дисперсионные кривые
3.4. Эффект Рашбы на металлических поверхностях
3.4.1. Происхождение спинорбитальиого расщепления
3.4.2. Влияние электрического поля.
3.5. Основные результаты и выводы
Глава 4. Поверхности висмута с низкими индексами
4.1. Объемный висмут.
4.1.1. Атомная структура.
4.1.2. Электронная структура.
4.2. Индексация поверхностей висмута.
4.2.1. Ромбоэдрическая структура.
4.2.2. Гексагональная структура
4.2.3. Переход от ромбоэдрической к гексагональной индексации
4.2.4. П се вдо куб и чес кая структура .
4.3. Детали и методика расчетов
4.4. Релаксация поверхностей висмута.
4.4.1. Поверхность 1.
4.4.2. Поверхность 0
4.4.3. Поверхность 0
4.5. Электронная структура поверхностей висмута.
4.5.1. Поверхность 1
4.5.2. Поверхность 0
4.5.3. Поверхность 0
4.6. Основные результаты и выводы
Глава 5. Ультратонкие пленки висмута 0 и1.
5.1. Детали расчета
5.2. Атомная структура ультратоиких пленок висмута.
5.3. Пленки ЕЙ1
5.3.1. Релаксация атомной структуры.
5.3.2. Электронные свойства.
5.3.3. Контур Ферми
5.4. Пленки В10
5.4.1. Релаксация атомной структуры.
5.4.2. Электронные свойства.
5.4.3. Контур Ферми.
5.5. Аллотропия нанопленок висмута
5.5.1. Гексагональная пленка В1 в структуре Л7
5.5.2. Псевдокубическая пленка В1 в структуре типа 7 . . .
5.6. Сохранение латерального импульса баллистических электронов на границе металлполупроводник.
5.6.1. Граница раздела В11 И.
5.7. Основные результаты и выводы
Глава 6. Сплав ШБЬ и его ультратонкие пленки
6.1. Детали расчета
6.2. Объемный кристалл.
6.2.1. ВЬ
6.2.2. ВЬЬ2
6.3. Пленки 1
6.3.1. Двойной бислой ВНэЬ8ЬВ1
6.3.2. Двойной бислой БЬВ1В1БЬ .
6.3.3. Двойной бислой В1ЭЬВ1ЭЬ .
6.4. Пленки 0
6.5. Ленты 0
6.6. Основные результаты и выводы
Глава 7. Поверхности металлов с адсорбированными слоями .
7.1. Система СоСи1
7.1.1. Метод и детали расчета
7.1.2. Результаты и обсуждение.
7.2. Электронная структура системы В1Си 1 И
7.2.1. Детали расчета
7.2.2. Структура субмонослойных покрытий.
7.2.3. Результаты и обсуждение.
7.3. Основные результаты и выводы
Заключение.
Литература
- Київ+380960830922