Анализ ключевых характеристик методов локальной диагностики полупроводников - метода наведенного рентгеновским пучком тока и рентгеновского флуоресцентного метода

Оглавление
Введение
Глава I. Современное состояние проблемы применения методов
наведенного тока и рентгенофлуоресцентного анализа
для диагностики микрострукту р. Литературный обзор.
1.1. Проблема локальной диагностики полупроводниковых структур.
1.2. Метод наведенного тока.
1.2.1. Метод наведенного электронным пучком тока
ЕВ1С, из истории вопроса
а Физические основы метода
б Обсуждение получаемых с помощью ЕВ1С
метода результатов
1.2.2. Метод индуцированного рентгеновским пучком
тока ХВ1С.
1.3. Методы рентгенофлуоресцентной диагностики элементного состава объектов.
1.3.1. Рентгеновский флуоресцентный анализ.
1.3.2. Рентгенофлуоресцентная томография объектов.
1.3.3. Аппаратный подход в рентгенофлуоресцентной томографии.
1.4. Основные выводы главы 1.
Глава II. Сравнение функции сбора сигнала поликапиллярного коллиматора и коллиматора, созданного методами микроэлектроники, используемых в аппаратной рентгенофлуоресцентной томографии.
2.1. Постановка задачи, определение функции сбора,
применимость приближения геометрической оптики
2.2. Методика расчета функции сбора.
а Для коллиматора, созданного методами микроэлектроники
б Для поликапиллярного коллиматора.
2.3. Результаты расчета функций сбора для двух типов коллиматоров и их сравнение.
2.4. Преимущества использования микроэлектронного коллиматора.
2.4.1. Независимость функции сбора коллиматора
от энергии флуоресцентных квантов.
2.4.2. Оценка доли излучения, проходящего через коллиматор
в результате явления полного внешнего отражения.
2.5. Основные результаты и выводы главы II
Глава III. Моделирование XI контраста от протяженных дефектов дислокаций и границ зерен и сравнение его с I контрастом
3.1. Постановка задачи, преимущества метода XI и вопросы, ожидающие решения
3.2. Модель расчета наведенного тока и определение контраста
от дефекта
3.2.1. Вероятность собирания неравновесных носителей заряда
а Для границ зерен.
б Для дислокаций.
3.2.2. Функция генерации электрондырочных пар
а Функция генерации в методе I
б Функция генерации в методе XI
3.3. Результаты расчета контраста от протяженных дефектов
3.3.1. Анализ и сравнение с I контрастом.
3.3.2. Сравнение с экспериментальными данными
3.4. Функция генерации в приближении гауссового распределения электрондырочных пар, рожденных фотоэлектроном.
3.5. Основные результаты и выводы главы III
Выводы диссертации.
Приложение 1.
Приложение II
Список литературы