ОГЛАВЛЕНИЕ
ВВЕДЕНИЕ
ГЛАВА 1УСТРОЙСТВА ДЛЯ УПРАВЛЕНИЯ СВЧ КОЛЕБАНИЯМИ
1.1. Общие сведения и принцип работы защитных устройств СВЧ.
1.2. Классификация защитных устройств
1.3. Параметры защитных устройств
1.4. Полупроводниковых защитные устройства.
1.5. Элементная база полупроводниковых ЗУ
1.6. Эквивалентная схема и параметры рп диодов
1.7. Схемы включения рпдиодов в линию передач и их характеристики
1.8. Основы конструкции полупроводниковых защитных устройств
1.9. Многодиодные каскады защиты.
ГЛАВА 2. УСТРОЙСТВА ДЛЯ УСИЛЕНИЯ СИГНАЛОВ СВЧ
2.1. Основные сведения.
2.2. Общие требования к входным цепям широкополосных приемных устройств
2.3. Характеристика полупроводниковых малошумящих усилителей
2.4. Постановка задач исследования.
ГЛАВА 3. РАЗРАБОТКА ЗАЩИТНОГО УСТРОЙСТВА.
3.1. Определение требований к подложкам и ОаАз для создания монолитных рп диодных матриц.
3.1.1. Выбор типа полупроводниковых подложек.
3.1.2. Требования к состоянию поверхности подложек.
3.1.3. Выбор ориентации подложек.
3.1.4. Экспериментальное исследование выбранных подложек в 8мм диапазоне.
3.2. Определение требований к диодам в диодной матрице.
3.2.1. Общие сведения о работе ограничителя на основе монолитной многодиодной матрицы.
3.2.2. Определение требований к единичным рчп диодам, входящим в
состав матриц.
3.3. Выбор схемы и конструкции ограничителя.
3.4. Конструкция монолитной много диодной планарной структуры для ограничителя
3.5. Технология изготовления монолитной планарной рчп диодной матрицы
3.6. Контроль основных электрофизических характеристик монолитного рчп диодного ограничителя на низкой частоте
3.7. Конструкция и электрические характеристики монолитных ограничителей на базе ОаА структур.
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ТВЕРДОТЕЛЬНОГО ПРИЕМНОУСИЛИТЕЛЬНОГО МОДУЛЯ
4.1. Разработка малошумящего усилителя
4.2. Конструкция и параметры ПУМ.
ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА
- Київ+380960830922