Оглавление
Введение
Глава 1. Литературный обзор
1.1.Применение и основные особенности свойств неупорядоченных материалов
1.1.1. Применение аморфного гидрогенизированного кремния и его сплавов
1.1.2. Применение халькогенидных полупроводников
1.2. Свойства аморфных полупроводников
1.2.1.Модели энергетических состояний в неупорядоченных
полупроводниках
1.2.2. Атомная структура аморфных полупроводников
1.2.3. Электрофизические свойства неупорядоченных полупроводников
1.2.4. Оптические и фотоэлектрические свойства неупорядоченных полупроводников
1.2.5. Метастабильность аморфного гидрогенизированного кремния
1.3. Халькогенидные полупроводники
1.3.1. Материалы для ячеек фазовой памяти
1.3.2. Свойства халькогепидов системы Ое8ЬТе
1.3.2.1. Структура халькогенидов системы Се8ЬТе
1.3.2.2. Фазовые диаграммы системы Ое8ЬТе
1.3.2.3. Время кристаллизации материалов в системе Ое8ЬТе
1.3.2.4. Оптические свойст ва материалов системы Сс8ЬТс
1.3.2.5. Электрофизические свойства материалов системы Се8ЬТе
1.3.2.5.1. Электропроводность
1.3.2.5.2. Эффект переключения
1.3.3. Структура ячеек фазовой памяти и принцип ее работы
1.3.3.2. Надежность ячеек фазовой памяти
1.4.Термические методы анализа
1.4.1. Метод дифференциального термического анализа
1.4.2. Метод дифференциальной сканирующей калориметрии
1.4.3.Факторы, влияющие на кривые ДТА и ДСК
1.5. Дифференциальная сканирующая калориметрия авкН, сплавов на его основе и халькогенидов
1.5.1. ДСК авкН и сплавов на его основе
1.5.2. ДСК халькогенидов
Выводы по главе 1
Глава 2. Технология получения и методы исследования свойств материалов
и тонких пленок на их основе
2.1. Синтез материала системы ЭевЬТе
2.2. Методы формирования тонких пленок экспериментальных образцов
2.2.1. Получение тонких пленок а8Н и его сплавов в низкочастотной плазме тлеющего разряда кГц
2.2.2. Метод осаждения тонких пленок Т
2.3. Методы исследования состава и структуры образцов
2.3.1. Рентгеновский микрозондовый анализ
2.3.2. Спектроскопия обратного рассеяния Резерфорда
2.3.3. Определение состава тонких пленок в8Т
2.3.4. ИК спектроскопия
2.3.5. Рентгенофазовый анализ
2.3.6. Атомносиловая микроскопия
2.4. Дифференциальные термические методы анализа
2.4.1. Термогравиметрия
2.4.2. Дифференциальная сканирующая калориметрия
2.4.2.1. Характеристики Э8С
2.4.2.2. Калибровка калориметра Э8С
2.4.2.3. Уменьшение погрешности измерений калориметра П8С
2.4.2.3.1. Разброс массы тиглей
2.4.2.3.2. Положение тигля на детекторных площадках в ячейке прибора
2.4.2.3.3. Положение крышки измерительной ячейки
2.4.2.4. Методика подготовки образцов и методика проведения измерений термических свойств
2.4.2.5. Метод Киссинджера
Выводы по главе 2
Глава 3. Исследование термических свойств тонких пленок аморфного
гидрогенизированного кремния и сплавов на его основе
3.1. Дифференциальная сканирующая калориметрия тонких пленок аморфного гидрогенизированного кремния
3.1.1. Исследование тепловых эффектов в а8Н
3.1.2. Моделирование пиков на кривых ДСК тонких пленок а8
3.1.2.1. Природа пиков тепловых эффектов на кривых ДСК тонких пленок акН
3.1.2.2. Математическая модель для описания пиков тепловых эффектов
на кривых ДСК тонких пленок а8Н
3.1.3. Моделирования пиков для аморфного гидрогенизированного кремния
3.2. Дифференциальная сканирующая калориметрия тонких пленок аБг.Н птипа
3.3 Дифференциальная сканирующая калориметрия тонких пленок а8ЮеН
3.3.1 Моделирование тепловых эффектов в тонких пленках а8ЮеН
3.3.2. Определение энергии активации тепловых эффектов в а8ЮеН с применением уравнения Киссинджера
3.4. Взаимосвязь оптоэлсктронных свойств тонких пленок а8пН и его сплавов со структурно релаксационными процессами, протекающими в них
Выводы по главе 3
Глава 4. Исследование термических свойств халькогенидов системы
Ое8ЬТе
4.1. Состав и струкгура синтезированного материала и тонких пленок ОеЬ2Те5
4.2. Влияние термического отжига на морфологию поверхности тонких пленок ОеЬ2Те5
4.3. Температурная зависимость удельного сопротивления
4.4. Термичсские свойства ОеЬ2Тс5
4.4.1. Гравиментические исследования синтезированного материала и тонких пленок
4.4.2. ДСК синтезированного материала и тонких пленок СеЬ2Тс5
4.4.3. Повторные ДСК измерения синтезированного материала и тонкопленочных образцов ОсЬ2Те5
4.4.4. Оценка энергии активации тепловых эффектов с использованием уравнения Киссинджера для ОеЬ2Те5
4.5. Исследование термических свойств ОеБЫТе, веБЬДЬ
4.6. Природа возникновения экзотермического теплового эффекта в диапазоне температур 0 5С
4.7. Влияние дополнительного отжига синтезированного материала на 1 стабильность свойств
Выводы но главе 4
Основные результаты и выводы
Литература
- Київ+380960830922