Оглавление
Актуальность работы
Цель и задачи работы.
Научная новизна работы.
Практическая ценность работы.
Основные положения, представляемые к защите
1. Технологические методы нанесения пленок для изготовления квантоворазмерных гетероструктур .
1.1. Термическое и электронно лучевое испарение.
1.2. Химическое осаждение из паровой фазы.
1.3. Лазерная эпитаксия.
1.4. Жидкофазная эпитаксия.
1.5. Ионно плазменные методы, включая магнетронное напыление
1.6. Плазмохимическое осаждение.
1.7. Молекулярно лучевая эпитаксия МЛЭ
1.7.1. Легирование при МЛЭ
1.7.2. МЛЭ плазменные методы
2. Тенденции развития РЭС с применением квантоворазмерных гетероструктур
2.1. Обзор физико технологических аспектов применения
квантоворазмерных гетероструктур для РЭС
2.1.1. Квантоворазмерные приборы и их микроэлектронные
прообразы.
2.1.2. Одноэлектронный транзистор ОЭТ.
2.1.3. Квантовые нити, квантовые точки и клеточные автоматы.
2.1.4. Связь резонансной и кулоновской энергии с видом ВАХ
2.1.5. Резонансно туннельные диоды РТД и резонансно
туннельные транзисторы РТТ.
2.1.6. Проблемы технологии квантоворазмерных электронных
приборов.
2.1.7. Молекулярная электроника.
2.1.8. Эквивалентная схема РТД
2.1.9. Расчеты ВАХ квантоворазмерных электронных приборов
2.2. Обзор физико технологических аспектов шумов в квантоворазмерных
гетероструктурах
2.2.1. Фликкер шум
2.2.2. Дробовой и тепловой шумы.
2.2.3. Квантовый шум
2.2.4. Низкочастотный шум в РТД.
2.2.5. Дробовой шум в гетероструктурах
3. Связь параметров АЮаАя квантоворазмерной гетероструктуры со
степенью ее ВАХ
3.1. Математическое моделирование токопереноса в квантоворазмерных
гетероструктурах
3.2. Расчет вероятности прохождения ДБ электрона поперек
квантоворазмерных слоев.
3.3. Результаты расчетов прозрачности 7Щ в зависимости от напряжения и
параметров слоев РТД
3.3.1. Зависимости положения Ео, ширины Г и амплитуды Г резонансного пика прозрачности от напряжения и на РТД.
3.3.2. Зависимости положения Ео , ширины Г и амплитуды Г
резонансного пика прозрачности от высот Уьь УЬ2 туннельных барьеров
3.3.3. Зависимости положения Ео , ширины Г и амплитуды пика прозрачности от толщин Ыы, Ыю туннельных барьеров
3.3.4. Зависимости положения Ео и ширины Г резонансного пика прозрачности Ъ от ширины и уровня дна Уу ямы
3.3.5. Зависимости положения Е0 и ширины Г резонансного пика прозрачности 7, от ширины Ыуу ямы и высоты Уь барьеров
3.4. Аналитическая формула ВАХ квантоворазмерных гетероструктур для диодов
3.4.1. Диапазон форм ВАХ
3.4.2. Формула экспоненциальной ВАХ ДБШ.
3.4.3. Максимальная плотность тока
3.4.4. Сопротивление контакта между атомами.
Численное моделирование спектров смесителей по заданной ВАХ диода
в
4.1. Методика расчетов спектров.
4.2. Эталонные спектры и погрешности расчетов.
4.3. Квадратичная и кубичная спектральные линии
4.4. Преимущества РТД над ДБШ в спектральной области
4.5. Влияние сопротивления на спектры.
4.6. Диапазон возможных спектров смесителей на РТД
Метод молекулярно лучевой эпитаксии МЛЭ изготовления I квантоворазмерных гетероструктур с заданной степенью ВАХ
5.1. Эффузионные ячейки.
5.2. Контроль по отражательной дифракции быстрых электронов ДБЭ или
5.3. Измерение потока ионизационной лампой
5.4. Счет монослоев по колебаниям интенсивности на экране ДБЭ
5.5. Колебания интенсивности отраженного света
5.6. Поведение частиц при эпитаксиальном росте xix.
5.7. Технология производства гетероструктур для диодов с
заданной степенью ВАХ
5.8. Технологические диаграммы параметров слоев
квантоворазмерных гетероструктур для диодов
5.9. Проверка результатов работы на опытных образцах диодов и
смесителей.
6. Выводы и заключение
Список литературы
- Київ+380960830922