- Київ+380960830922
Ви є тут
Введіть ключові слова для пошуку дисертацій:
Выращивание и исследование сложных галлиевых гранатов ИСГГ: Cr: Nd, ГСГГ: Cr:Nd и ИСГГ: Cr: Ho: Yb для твердотельных лазеров
Тип роботи:
Кандидатская
Рік:
2001
Артикул:
1000343201 179 грн
Рекомендовані дисертації
- Метод химического осаждения из растворов для создания активных и изолирующих диэлектрических слоев интегральных схем
- Применение математического моделирования для анализа процессов теплообмена при выращивании монокристаллов кремния методом Чохральского в промышленных установках
- Технология структур карбид кремния - кремний для приборов микроэлектроники и микросистемной техники
- Технология осаждения пленок оксинитрида титана методом реактивного магнетронного распыления
- Оптимизация процесса МОС-гидридной эпитаксии слоев GaAs, AlxGa1-xAs и InxGa1-xAs на основе математической модели
- Разработка и исследование технологических основ создания углеродных нанотрубок методом каталитического пиролиза этанола
- Исследование наклонноконденсированных пленочных материалов для термоэлектрических преобразователей лазерного излучения
- Разработка тонкопленочных сорбентов и микроэлектронных химических сенсоров на их основе для контроля содержания вредных и токсичных газов в атмосфере
- Технология элементной базы защитных устройств для радиолокаторов сверхвысоких частот
- Исследоввание процессов плазмохимического осаждения пленок нитрида кремния