ОГЛАВЛЕНИЕ
Список терминов, условных обозначений и сокращений
Введение
ГЛАВА 1. АНАЛИТИЧЕСКИЙ ОБЗОР ПО ВОПРОСАМ ЭПИТАКСИИ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИИ
1.1. Способы получения и особенности технологии роста
гетероэпитаксиальных структур ЗСБСБ
1.1.1. Методы подготовки подложек
1.1.2. Методики формирования буферного слоя
1.1.3. Процессы осаждения ЗСБС на кремниевые подложки
1.2. Базовые методы исследования структур ЗСБСБ
ГЛАВА 2. РАЗРАБОТКА ТЕХНОЛОГИИ ГАЗОФАЗНОГО ОСАЖДЕНИЯ КАРБИДА КРЕМНИЯ НА КРЕМНИЕВЫЕ ПОДЛОЖКИ
2.1. Описание установки газофазного осаждения карбида кремния
2.2. Разработка конструкции реактора
2.2.1. Выбор геометрии реактора
2.2.2. Выбор материалов для изготовления оснастки реактора
2.2.3. Конструкция реактора
2.2.4. Перспективы увеличения площади подложек
2.3. Подготовка подложек к процессу осаждения
2.4. Методики формирования буферного слоя
2.4.1. Карбиднзация поверхности монокристаллического кремния
2.4.2. Карбиднзация нанопористого кремния
2.4.3. Использование нанопористого кремния без карбидизации
2.5. Методика выращивания эпитаксиальных слоев
2.5.1. Влияние технологических параметров на характеристики эпитаксиального слоя
2.5.2. Влияние параметров буферного слоя на характеристики эпитаксиального слоя
ГЛАВА 3. ИСПОЛЬЗОВАНИЕ ГЕТЕРОСТРУКТУР БСБ ДЛЯ СОЗДАНИЯ МЕМБРАН МЭМС
ЗЛ. Перспективы использования структур ЗС БСБ в качестве мембран в МЭМС
3.2. Методика изготовления мембран на основе ЗСБСБ
3.3. Методика исследования и результаты измерения механических напряжений в ЗСБС мембранах
ГЛАВА 4. РАЗРАБОТКА ГЕТЕРОСТРУКТУР БСБ ДЛЯ МИКРОЭЛЕКТРОННЫХ ПРИБОРОВ
4.1. Перспективы использования гетероперехода пБСрБ для фотоприемников, фотовольтаических преобразователен и транзисторных структур с широкозонным эмиттером
4.2. Методика изготовления экспериментальных образцов диодных структур
4.3. Исследование вольтамперных и вольтфарадных характеристик гетероструктур ЗСБСБ
4.3.1. Структура с изотипньтм гетеропереходом пБСпБ
4.3.2. Структура с анизотипным гетеропереходом пБСрБ
4.3.3. Определение диффузионного потенциала на основе анализа вольтамперных и СУ характеристик
4.4. Анализ процессов транспорта носителей заряда в гетероструктурах пБСрБ
Заключение
Литература
- Київ+380960830922