Введение .
Глава 1. Литературный обзор
1.1. Кристаллическая структура карбида кремния. Политипизм.
1.2. Влияние параметров синтеза на состав и структуру пленок вЮ
1.2.1. Монокристаллическис эпитаксиальные пленки.
1.2.1.1. Г омоэпитаксия слоев вЮ.
1.2.1.2. Гстероэпитаксия слоев
1.2.2. Микрокристаллические пленки.
1.2.3. Аморфные пленки карбида кремния.
1.3. Теории зародышеобразования в тонких пленках при ХОГФ
1.4. Применение тонких пленок вЮ.
1.5. Выводы по главе 1.
Глава II. Методы синтеза и исследования пленок С.
2.1. Материалы.
2.2. Методика подготовки подложек
2.3. Характеристики установок ХОГФ и методика синтеза пленок карбида кремния.
2.4. Методы исследования состава и структуры.
2.4.1. Просвечивающая ИКспектроскопия.
2.4.2. Спектроскопия комбинационного рассеяния света КРС
2.4.3. Рентгенофазовый анализ РФА
2.4.4. Сканирующая зондовая микроскопия СЗМ
2.5. Измерение толщины пленок Б1С
2.6. Выводы по главе II
Глава III. Моделирование процессов зарождения и роста аморфных
и кристаллических пленок.
3.1. Описание структуры кристаллических решеток карбида кремния с
позиции высокомолекулярных соединений
3.2. Моделирование атомарной структуры поверхности
монокристаллической пластины, имеющей ориентацию 0.
3.3. Моделирование атомарной структур агрегатов зародышей, образующихся на поверхности 0.
3.4. Моделирование механизма зарождения кристаллической пленки
на плоскости 0.
3.5. Моделирование механизмов зарождения аморфных пленок на плоскости 0..
3.6. Моделирование атомарной структуры поверхности
монокристаллической пластины, имеющей ориентацию 1.
3.7. Моделирование атомарной структуры зародышей на поверхности монокристаллов с ориентацией 1
3.8. Моделирование атомарных структур агрегатов, образующихся на ступенях разориентированных подложек
3.9. Моделирование процессов зарождения и роста пленок на пластинах, имеющих разориентацию относительно направления 1
3 Моделирование процессов зарождения и роста аморфных пленок
на пластинах с ориентацией 1.
3 Выводы к главе III.
Глава IV. Анализ влияния условий осаждении на структуру пленок
карбида с позиции модели зарождения и роста пленок
4.1. Кинетика зарождения и роста пленок карбида кремния на подложках 0.
4.2. Кинетика зарождения и роста пленок карбида кремния на неразориенгированных подложках 1
4.3. Кинетика зарождения и роста пленок карбида кремния на ступенях разориентированных подложек 1.
4.4. Влияние дополнительной активации газовой фазы на процессы роста пленок
4.5. Влияние скорости расхода источников компонентов пленки и газаносителя на структуру матрицы материала.
4.6. Влияние ориентации подложки на структуру матрицы пленки, синтезированной из ХКС
4.7. Выводы к главе IV.
Глава V. Анализ экспериментальных результатов
5.1. Анализ состава и структуры по данным ИКспектроскопии.
5.1.1. Общие представления об ИКспектрах карбида кремния
5.1.1.1. Анализ ИКспектров образцов, полученных в реакторе с различным типом активации процесса синтеза.
5.1.1.2. Анализ ИКспектров образцов, полученных из различных типов ХКС
5.1.1.3. Анализ ИКспектров образцов, полученных при различной
температуре.
5.1 Л .4. Анализ ИКспектров образцов, полученных при различной
скорости расхода водорода.
5.1.1.5. Анализ ИКспсктров образцов, полученных при различной концентрации ХКС
5.2. Анализ состава и структуры пленок вЮ по данным КРС.
5.3. Анализ степени кристалличности и фазового состава пленок вЮ
по данным РФА.
5.4. Анализ влияния условий осаждения на морфологию поверхности
пленок БЮ.
5.4.1. Анализ влияния температуры на морфологию поверхности
5.4.3. Анализ влияния ориентация подложки на морфологию поверхности
5.5. Кинетика осаждения тонких пленок карбида кремния.
5.6. Выводы по главе IV.
Основные результаты и выводы
Литература
- Київ+380960830922