Ви є тут

Метод управления процессами тепломассопереноса при выращивании кристаллов посредством изменения симметрии и вращения теплового поля

Автор: 
Кох Александр Егорович
Тип роботи: 
докторская
Рік: 
2002
Кількість сторінок: 
271
Артикул:
232963
179 грн
Додати в кошик

Вміст

Содержание
ВВЕДЕНИЕ
Часть 1. ЛИТЕРАТУРНЫЙ ОБЗОР
Глава 1. Управление процессами тепломассопереноса при выращивании
кристаллов.
1.1. Контактные и бесконтактные способы управления.
1.2. Характеристика тепловых полей
1.2.1. Принцип симметрии Кюри и симметрия
конвективных процессов
1.2.2. Температурные колебания при выращивании кристаллов
1.3. Критерии подобия и численное моделирование
1.4. Тепломассоперснос при выращивании кристаллов
гидротермальным методом.
1.5. Выводы к главе 1 .
Глава 2. Борат бария РВаВгС материал нелинейной оптики
2.1. Введение к главе 2 .
2.2. Бораты бария. Система ВаОВгОз
2.3. Стеклообразование в системе ВаОВзОз
2.4. Получение исходного состава ВаВзО
2.4.1. Водные способы синтеза осаждение ВаВгОпНгО из водных растворов
2.4.2. Синтезы методами мягкой химии
2.4.3. Безводные высокотемпературные способы синтеза обменные химические реакции, спекание, сплавление
2.5. Полиморфизм и кристаллическая структура .
2.6. Особенности кристаллизации расплава ВаВ24 .
2.7. Выращивание монокристаллов РВаВ2С4.
2.7.1. Выращивание из собственного расплава
2.7.2. Выращивание из раствора в расплаве
2.7.2.1. Подбор растворителя.
2.7.2.2. Техника выращивания.
2.8. Дефекты и примеси в кристаллах.
2.9. Свойства и применение
2 Выводы к главе 2
Часть 2. МАТЕхМАТИЧЕСКОЕ МОДЕЛИРОВАНИЕ
Глава 3. Моделирование процессов тепломассопереноса при изменении
симметрии и вращении теплового поля.
3.1. Постановка задачи и ничны условия для численного моделирования .
3.2. Алгоритм численного решения
3.3. Численное моделирование тепловых полей и конвективных течений при выращивании кристаллов в стационарном азимутальнораспределенном тепловом поле
3.4. Численное моделирование тепловых полей и конвективных течений при выращивании кристаллов во вращающихся тепловых полях
3.4.1. Яо1Ь2 симметрия теплового поля.
3.4.2. ЯоЙЦ симметрия теплового поля.
3.5. Выводы к главе 3
Часть 3. ЭКСПЕРИМЕНТАЛЬНЫЕ ИССЛЕДОВАНИЯ.
Глава 4. Прецизионная нагревательная печь для выращивания кристаллов
4.1. Типовая нагревательная печь
4.2. Конструкция прецизионной печи
4.3. Характеристика теплового поля прецизионной печи
4.4. Дополнительные возможности.
4.5. Выводы к главе 4.
Глава 5. Фазовые равновесия в тройной системе ВаОВгОзЛУагО.
5.1. Методика эксперимента
5.2. Результаты экспериментальных исследований
5.2.1. Рентгенограмма порошка р ВаВ
5.2.2. Разрез ВаВ4 .
5.2.3. Соединение ЫаВаВОз
5.2.4. Поверхность ликвидуса в фазовом треугольнике
ВаВ4 ЫаВ ЫаВаВОз.
5.3. Обсуждение результатов.
Глава 6. Выращивание кристаллов 1 фазы метабората бария ВВО
с использованием контактных методов управления процессами теиломассопереноса
6.1. Синтез шихты.
6.2. Выращивание кристаллов в условиях высоких значений градиентов температур.
6.3. Выращивание кристаллов на гибком подвесе
6.4. Выращивание кристаллов с принудительным перемешиванием маточного растворрасплава.
6.5. Выращивание кристаллов с подпиткой
6.6. Концентрационное переохлаждение.
6.7. Вывод к главе 6.
Глава 7. Выращивание кристаллов методом изменении симметрии и
вращении теплового ноля i i
7.1. Модельные эксперименты и аналитическое обоснование
7.2. Установка для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля.
7.2.1. Устройство установки
7.2.2. Создание стационарных и вращающихся тепловых полей различной симметрии
7.2.3. Амплитудночастотные характеристики теплового поля
7.2.4. Управление амплитудночастотными характеристиками тепловой волны в модернизированной установке для выращивания кристаллов в условиях вращения теплового поля.
7.3. Выращивание кристаллов ВВО.
7.3.1. Выращивание кристаллов ВВО в стационарных азимутально распределенных тепловых полях
7.3.2. Выращивание кристаллов ВВО во вращающихся тепловых полях различной симметрии
7.4. Выращивание кристаллов двойного цезийлитиевого бората ii методом Киропулоса
во вращающемся тепловом поле.
7.4.1. Система 222303.
7.4.2. Методика выращивания кристаллов
7.5. Перспективы применения метода вращения теплового поля к выращиванию кристаллов закрытыми способами гидротермальному
и ампульному.
Глава 8. Контроль качества выращенных кристаллов ВВО, изготовление
оптических элементов и их применение в нелинейной оптике
8.1. Предварительная разделка буль.
8.2. Оптический контроль качества
8.3.Изготовление нелинейнооптических элементов
8.4. Вхождение примесей щелочных металлов в структуру ВВО .
8.5. Применение кристаллов в устройствах нелинейной оптики .
8.5.1. Оптическое пропускание кристаллов
8.5.2. Генерация высших гармоник
8.5.3. Параметрические генераторы света
на кристалле ВВО
8.5.4. ВВО как нелинейноактивный кристалл
3его порядка.
8.5.5. Генерация 4ой и 5ой гармоник излучения лазера на кристалле .
ОСНОВНЫЕ ВЫВОДЫ И ЗАКЛЮЧЕНИЕ
ЛИТЕРАТУРА