1. Методы и способы контроля процессов ионноплазменной обработки материалов электронной техники
1.1. Физические основы и характеристика методов ионноплазменной обра
ботки
1.2. Основные эффекты, сопровождающие ионноплазменную обработку
1.3. Применение эффектов ионной бомбардировки для контроля технологических процессов ионноплазменной обработки
1.4. Использование оптических эффектов для управления процессами ионноплазменной обработки
1.5. Массспектрометрия ионноплазменных процессов
1.6. Использование электрических сигналов для контроля процессов ионноплазменной обработки
Заключение
2. Закономерности изменения ионпоиндуцированных токов ИИТ в многослойных пленочных гетсроструктурах в процессах ионнолучевого ИЛТ и реактивного РИЛТ травления и нанесения
2.1. Методика определения закономерностей изменения ИИТ в процессах ИЛТ и РИЛТ
2.2. Закономерности изменения ионноиндуцированного тока в процессах ИЛТ и РИЛТ пленочных структур диэлектрик полупроводник и диэлектрик металл
2.3. Особенности изменения ионноиндуцированного тока при ионной очистке поверхностей металлов и полупроводников
2.4. Закономерности изменения ионноиндуцированного тока при травлении гетероструктур
2.5. Закономерности изменения ионноиндуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ структур металл металл, металл полупроводник, металл диэлектрик металл
2.6. Закономерности изменения ионноиндуцированных токов при ИЛТ и РИЛТ пленок углерода на металлах
2.7. Контроль ионноиндуцированных токов при нанесении ионнолучевым
распылением пленок диэлектриков на проводящие подложки
2.8. Измерение электрических потенциалов на поверхности структур при ионной бомбардировке
Заключение
3. Экспериментальное исследование явления вторичной ионноэлектронной эмиссии при травлении многослойных пленочных гетероструктур металлов, полупроводников и диэлектриков
3.1. Экспериментальное оборудование и методика проведения измерения тока вторичных электронов
3.2. Параметры вторичной ионноэлектронной эмиссии, используемые для диагностики состояния поверхности материалов в технологических процессах ИЛТ
3.3. Зависимость интенсивности ионноэлектронной эмиссии с поверхности металлов, полупроводников и диэлектриков от электропроводности обрабатываемых структур при ИЛТ
3.4. Зависимость интенсивности ионноэлектронной эмиссии от технологических параметров процессов ИЛТ
Заключение
4. Построение феноменологических моделей возникновения ионноиндуцированных токов и токов вторичных электронов при ионноплазменной обработке материалов
4.1. Моделирование механизма возникновения и изменения ионно
индуцированных токов в процессах ИЛТ и РИЛТ многослойных пленочных гетероструктур
4.1.1. Ионноиндуцированная проводимость пленок диэлектриков,
возникающая при проведении процессов ионнолучевого травления
4.1.2. Ионноиндуцированная проводимость диэлектриков при нанесении пленок ионнолучевым и реактивным ионнолучевым распылением
4.1.3. Механизм изменения ионноиндуцированного тока при ионной обработке тонкопленочных гетерокомпозиций
4.2. Уточнение модели вторичной электронной эмиссии с поверхности металлов и полупроводников при ионной бомбардировке
4.2.1. Энергия возбуждения электронов при неупругих атомных столкновениях
4.2.2. Вероятность выхода электронов с поверхности
4.2.3. Основные результаты моделирования и сравнение их с существующими моделями и экспериментальными данными Заключение
5. Исследование возможности использования электронэлектронной эмиссии для управления ионноплазменными процессами формирования многокомпонентных пленок
5.1. Экспериментальное оборудование исследования вторичной электронэлектронной эмиссии
5.2. Закономерности взаимодействия электронного пучка с поверхностью твердого тела
5.3. Разработка теоретических основ электронноэмиссионного способа контроля многокомпонентных кремнийсодержащих пленок
5.4. Расчет характеристик процесса рассеяния электронов низких энергий поверхностью многокомпонентных материалов
5.5. Экспериментальное исследование рассеяния низкоэнергетических электронов поверхностью многокомпонентных материалов, и влияние обработки электронами на свойства и кинетику роста формируемых пленок
5.6. Рассеяние электронов поверхностью многокомпонентных проводящих материалов
5.7. Определение глубины области взаимодействия потока первичных электронов с многокомпонентными материалами
5.8. Исследование возможности использования электронной эмиссии для контроля процесса ионнолучевого нанесения пленок нитридов металлов Заключение
6. Разработка адаптивноуправляемых процессов ионноплазменной обработки тонкопленочных гетероструктур
6.1. Модели управления ионноплазменными технологическими процессами
6.2. Принципы построения алгоритмического обеспечения системы управления процессом формирования пучков заряженных частиц
6.3. Математическое моделирование процесса формирования пучков ионов
6.4. Разработка управляемых процессов ионноплазменной обработки тонкопленочных структур
Заключение
7. Создание специализированного оборудования, устройств ионноплазменной обработки и систем контроля технологических параметров
7.1. Разработка адативно управляемой системы напуска газов в устройство ионнолучевой обработки
7.2. Устройства для реализации воспроизводимых процессов ионнолучевой обработки
7.3. Разработка специального технологического оборудования
7.4. Системы контроля процессов нанесения и травления пленочных структур
Заключение
Основные результаты и выводы
Список литературы
- Київ+380960830922